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2025-12-01訪問(wen)量
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多(duo)鐵材料磁(ci)電(dian)磁(ci)阻(zu)測試儀 aixPES-MR
(MagnetoResistive Measurement)
本(ben)系統主(zhu)要(yao)用(yong)於研(yan)究(jiu)磁(ci)阻(zu)和鐵性(xing)材料。
本(ben)系統提供連(lian)續電(dian)流激(ji)勵(li)和(he)測(ce)試，樣(yang)品(pin)上(shang)的電(dian)壓(ya)降通(tong)過(guo)高精(jing)度(du)四點(dian)測(ce)試。
測(ce)試磁(ci)體(ti)可(ke)以選(xuan)擇(ze)：亥姆赫茲線圈(quan)、可(ke)變磁(ci)體(ti)、超(chao)導(dao)磁(ci)體(ti)等。
技(ji)術(shu)說(shuo)明：
電(dian)壓(ya)範圍10V、500mV、5mV在(zai)16bit分辨(bian)率(lv)下，精(jing)度(du)優於1%；
電(dian)流範(fan)圍：+/- 30mA或500μA，分辨(bian)能力15nA；
測(ce)試器件(jian)的最大阻(zu)抗：1MΩ；
測(ce)試器件(jian)的最小(xiao)阻(zu)抗：10mΩ。
I/V測(ce)試：
正(zheng)弦(xian)波電(dian)流測(ce)試時間(jian)：10ms到(dao)5s；
電(dian)壓(ya)範圍+/-10V；
電(dian)流反饋放大器(qi)提(ti)供真(zhen)實電(dian)流測(ce)試。
技(ji)術(shu)說(shuo)明：
電(dian)壓(ya)範圍10V、500mV、5mV在(zai)16bit分辨(bian)率(lv)下，精(jing)度(du)優於1%；
電(dian)流範(fan)圍：+/- 30mA或500μA，分辨(bian)能力15nA；
測(ce)試器件(jian)的最大阻(zu)抗：1MΩ；
測(ce)試器件(jian)的最小(xiao)阻(zu)抗：10mΩ。
I/V測(ce)試：
正(zheng)弦(xian)波電(dian)流測(ce)試時間(jian)：10ms到(dao)5s；
電(dian)壓(ya)範圍+/-10V；
電(dian)流反饋放大器(qi)提(ti)供真(zhen)實電(dian)流測(ce)試。
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