描述：JYPZT-JHX01型晶(jing)圓(yuan)陶(tao)瓷(ci)高壓極(ji)化(hua)設(she)備是(shi)壹款能(neng)夠(gou)對(dui)晶(jing)圓(yuan)分(fen)布(bu)上(shang)的(de)小微陶(tao)瓷(ci)進(jin)行(xing)極化(hua)，是(shi)目前研(yan)究(jiu)晶(jing)圓(yuan)及(ji)半導體器件陶(tao)瓷(ci)先(xian)進(jin)材(cai)料(liao)的(de)重要設(she)備。

技(ji)術特(te)點(dian)：

1、全封(feng)閉(bi)安全結構，超高漏(lou)流直(zhi)接自(zi)動斷電(dian)

2、夾具(ju)設(she)計方(fang)便(bian)安裝樣(yang)品

3、控溫(wen)升溫(wen)穩定(ding)

JYPZT-JHX01型(xing)晶(jing)圓(yuan)陶(tao)瓷(ci)高壓極(ji)化(hua)設(she)備

 關鍵(jian)詞(ci)： 晶(jing)圓(yuan)，高壓陶(tao)瓷(ci)，晶(jing)圓(yuan)陶(tao)瓷(ci)

晶(jing)圓(yuan)上(shang)布(bu)置的(de)壓(ya)電(dian)陶(tao)瓷(ci)片(pian)

半(ban)導體零部件是(shi)指在(zai)材(cai)料(liao)、結構、工藝、品質(zhi)和(he)精度、可靠(kao)性(xing)及穩定性(xing)等(deng)性能(neng)方(fang)面達到(dao)半(ban)導體設(she)備及技(ji)術要求的(de)零部件，如(ru)O型(xing)密(mi)封(feng)圈(quan)（O-Ring）、傳送模(mo)塊（EFEM）、射(she)頻電(dian)源(yuan)（RFGen）、靜(jing)電(dian)吸(xi)盤(pan)（ESC）、矽(gui)（Si）環等(deng)結構件、真空(kong)泵（Pump）、氣(qi)體流量(liang)計（MFC）、精密(mi)軸(zhou)承(cheng)、氣(qi)體噴(pen)淋(lin)頭（ShowerHead）等(deng)

JYPZT-JHX01型(xing)晶(jing)圓(yuan)陶(tao)瓷(ci)高壓極(ji)化(hua)設(she)備是(shi)壹款能(neng)夠(gou)對(dui)晶(jing)圓(yuan)分(fen)布(bu)上(shang)的(de)小微陶(tao)瓷(ci)進(jin)行(xing)極化(hua)，是(shi)目前研(yan)究(jiu)晶(jing)圓(yuan)及(ji)半導體器件陶(tao)瓷(ci)先(xian)進(jin)材(cai)料(liao)的(de)重要設(she)備。

技(ji)術特(te)點(dian)：

1、全(quan)封(feng)閉(bi)安全結構，超高漏(lou)流直(zhi)接自(zi)動斷電(dian)

2、夾具(ju)設(she)計方(fang)便(bian)安裝樣(yang)品

3、控溫(wen)升溫(wen)穩定(ding)

4、極(ji)化可以(yi)配(pei)合(he)ZJ-3型精密(mi)D33測試(shi)儀(yi)進(jin)行(xing)測試(shi)

二(er)、主要技(ji)術條件：

1、極(ji)化電(dian)壓： (0～10)Kv

2、 總(zong)電(dian)流：  DC:  20mA

4、測(ce)試時間：1～99min   ±5%  （連(lian)續(xu)可調(tiao)）

5、測(ce)試溫(wen)度：常溫(wen)～180℃  ±(5%+2個字)（連(lian)續(xu)可調(tiao)）

6、兩電(dian)極尺寸：210´320 mm

7、外(wai)型尺寸：體積：1450(h)´960(w)´700(d) mm

8、工作(zuo)條件：環境(jing)溫(wen)度0～40°C。

9、相(xiang)對濕度：不大於75%。

10、電(dian)源(yuan)：AC: (220± ±10%)V    (50±5%) Hz

11、配(pei)套設(she)備裝置：能(neng)夠(gou)配(pei)合(he)ZJ-3和(he)ZJ-6壓(ya)電(dian)測試(shi)儀(yi)進(jin)行(xing)測量(liang)

12、配(pei)套設(she)備裝置：可(ke)以配(pei)置10MM，20MM，30MM，40MM壓(ya)片夾具(ju)