描述(shu)：JKZC-ST4型數字式四(si)探(tan)針(zhen)測試(shi)儀是(shi)運用四(si)探(tan)針(zhen)測量(liang)原理測(ce)試電(dian)阻率(lv)/方阻的(de)多(duo)用途(tu)綜合(he)測(ce)量(liang)儀器(qi)。該儀器(qi)設(she)計符(fu)合(he)GB/T 1551-2009 《矽單(dan)晶電(dian)阻率(lv)測定(ding)方法(fa)》、GB/T 1552-1995《矽、鍺單(dan)晶電(dian)阻率(lv)測定(ding)直流(liu)四(si)探(tan)針(zhen)法》並參(can)考(kao)美國 A.S.T.M 標(biao)準
儀(yi)器(qi)具(ju)有(you)測(ce)量(liang)精度(du)高(gao)、靈(ling)敏度高(gao)、穩(wen)定性好、智(zhi)能(neng)化程(cheng)度(du)高、測量(liang)簡便(bian)、結(jie)構緊(jin)湊、使用方便(bian)等特點。

JKZC-ST4型半導體(ti)材料(liao)四(si)探(tan)針(zhen)測試(shi)儀

關(guan)鍵詞：電(dian)阻，電(dian)阻率(lv)，四(si)探(tan)針(zhen)，半導體(ti)

膜探(tan)頭(tou)測(ce)薄膜                  鎢針(zhen)探頭(tou)

壹、產品概述(shu)

    JKZC-ST4型數字式四(si)探(tan)針(zhen)測試(shi)儀是(shi)運用四(si)探(tan)針(zhen)測量(liang)原理測(ce)試電(dian)阻率(lv)/方阻的(de)多(duo)用途(tu)綜合(he)測(ce)量(liang)儀器(qi)。該儀器(qi)設(she)計符(fu)合(he)GB/T 1551-2009 《矽單(dan)晶電(dian)阻率(lv)測定(ding)方法(fa)》、GB/T 1552-1995《矽、鍺單(dan)晶電(dian)阻率(lv)測定(ding)直流(liu)四(si)探(tan)針(zhen)法》並參(can)考(kao)美國 A.S.T.M 標(biao)準。

儀(yi)器(qi)具(ju)有(you)測(ce)量(liang)精度(du)高(gao)、靈(ling)敏度高(gao)、穩(wen)定性好、智(zhi)能(neng)化程(cheng)度(du)高、測量(liang)簡便(bian)、結(jie)構緊(jin)湊、使用方便(bian)等特點。

儀(yi)器(qi)適用於半導體(ti)材料(liao)廠器(qi)件廠、科(ke)研單(dan)位(wei)、高等院校(xiao)對(dui)導體(ti)、半導體(ti)、類(lei)半導體(ti)材料(liao)的(de)導(dao)電(dian)性能(neng)的(de)測(ce)試(shi)。

二(er)、符(fu)合(he)：

1、符(fu)合(he)GB/T 1551-2009 《矽單(dan)晶電(dian)阻率(lv)測定(ding)方法(fa)》、

2、符(fu)合(he)GB/T 1552-1995《矽、鍺單(dan)晶電(dian)阻率(lv)測定(ding)直流(liu)四(si)探(tan)針(zhen)法》

3、符(fu)合(he)美國 A.S.T.M 標(biao)準

二(er)、產(chan)品應用：

1、測(ce)試(shi)矽類半導體(ti)、金屬、導電(dian)塑料(liao)類(lei)等硬質(zhi)材料(liao)的(de)電(dian)阻率(lv)/方阻；

2、可(ke)測(ce)柔性材料(liao)導(dao)電(dian)薄膜電(dian)阻率(lv)/方阻

3、金屬塗層(ceng)或薄膜、陶(tao)瓷或(huo)玻(bo)璃(li)等基底上(shang)導電(dian)膜（ITO膜）電(dian)阻率(lv)/方阻

4、納(na)米(mi)塗(tu)層(ceng)等半導體(ti)材料(liao)的(de)電(dian)阻率(lv)/方阻

5、電(dian)阻器(qi)體(ti)電(dian)阻、金屬導體(ti)的(de)低(di)、中(zhong)值電(dian)阻以(yi)及(ji)開(kai)關類(lei)接觸(chu)電(dian)阻進行測量(liang)

6、可(ke)測(ce)試(shi)電(dian)池極(ji)片等箔上(shang)塗層(ceng)電(dian)阻率(lv)方阻

二(er)、基本(ben)技(ji)術參(can)數

1、  測(ce)量(liang)範(fan)圍(wei)

     電(dian)  阻：1×10-4～2×105 Ω   ，分辨率(lv)：1×10-5～1×102 Ω

   電(dian)阻率(lv)：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率(lv)：1×10-5～1×102 Ω-cm

   方(fang)  阻：5×10-4～2×105 Ω/□，分辨率(lv)：5×10-5～1×102 Ω/□

2、測(ce)量(liang)方式：自動(dong)或(huo)手動(dong)

3、基本(ben)精度：±0.1/%

4、四(si)探(tan)針(zhen)探頭(tou)：

   (1)碳(tan)化鎢探(tan)針(zhen)：Φ0.5mm，直線(xian)探(tan)針(zhen)間距1.0mm，探(tan)針(zhen)壓(ya)力(li): 0～2kg 可(ke)調(tiao)

   (2)薄膜方(fang)阻探針(zhen)：Φ0.7mm，直線(xian)或(huo)方形探(tan)針(zhen)間距2.0mm，探(tan)針(zhen)壓(ya)力(li): 0～0.6kg 可(ke)

5. 電(dian)源(yuan)：198V －242V(AC），47.5Hz －63Hz

6、操(cao)作環境：  0°C －40°C ，≤90%RH

7、外形尺(chi)寸(cun)：200mm（長(chang)）×220 mm（寬(kuan)）×100mm（高(gao)）

8、數據傳輸方式；USB

9、軟(ruan)件方式：人(ren)性化分析(xi)軟(ruan)件界(jie)面，數據自動(dong)生(sheng)成 

                      分析(xi)軟(ruan)件（壹）