描(miao)述(shu)：HW-ISD2200nm紅外半導體激光(guang)器高(gao)功率穩(wen)定(ding)性(xing)、輸出功率0~Max連(lian)續(xu)可調(tiao)節(jie)，線(xian)偏振，TE00模(mo)；

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2025-12-02
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品(pin)牌(pai)	其他品(pin)牌(pai)	產地類別(bie)	國產
應(ying)用領(ling)域	環(huan)保(bao),能源,電子(zi)/電池(chi),電氣,綜合(he)

關鍵(jian)詞(ci)：紅外，激光(guang)器，1~400mW

HW-ISD2200nm紅外半導體激光(guang)器（1~400mW）

HW-ISD2200nm紅外半導體激光(guang)器高(gao)功率穩(wen)定(ding)性(xing)、輸出功率0~Max連(lian)續(xu)可調(tiao)節(jie)，線(xian)偏振，TE00模(mo)；

采(cai)用激光(guang)二極管(guan)（LD），工(gong)作(zuo)性能(neng)可(ke)靠(kao)，激光(guang)器壽命長(chang)，可長(chang)時間連(lian)續(xu)工(gong)作(zuo)，電源(yuan)自帶過熱(re)、限(xian)流(liu)保(bao)護電路(lu)（附(fu)帶保(bao)險(xian)絲(si)），TEC及(ji)激光(guang)頭風扇制冷，可外接(jie)信(xin)號(hao)發(fa)生(sheng)器進行高(gao)速調(tiao)制（TTL調制及(ji)模擬(ni)調制）；

產品(pin)用(yong)途(tu)：

適(shi)用於熒光(guang)激發(fa)、光(guang)譜分(fen)析、細(xi)胞腫瘤(liu)照射(she)、醫(yi)療(liao)分(fen)析、光(guang)電檢(jian)測(ce)等(deng)實驗(yan)需(xu)求(qiu)。

主(zhu)要(yao)技術(shu)參(can)數(shu)：

波長(chang)Wavelength (nm)	2200±20
光(guang)譜線寬(kuan)Spectral Line width (nm)	<10
輸出功率 Output Power (mW)	1~400（0~Max功率可(ke)調(tiao)節(jie)）
工(gong)作(zuo)方式(shi) Operating Mode	CW
光(guang)斑(ban)模式(shi) Transverse Mode	TE00
偏(pian)振方式(shi) Polarization	Line polarization（線(xian)偏振）
偏(pian)振比(bi)Polarization Ratio	>50：1
光(guang)束尺(chi)寸Beam Diameter at Aperture (mm)	~5.0 x 5.0（方(fang)形(xing)光(guang)斑(ban)）
光(guang)束發(fa)散角Beam Divergence (full angle, mrad)	<6
光(guang)束指(zhi)向(xiang)穩(wen)定(ding)性(xing) Beam pointing stability（mrad）	<0.05
功率穩(wen)定(ding)性(xing)Power Stability (RMS, over 4 hours)	<1%，<3%（可(ke)選(xuan)）
制冷方式(shi)Cooling System	TEC
供(gong)電方(fang)式(shi) Power Supply	90~240VAC@50Hz
調(tiao)制速率 Modulating Repetition	100KHz TTL / 10KHz Analogue
預(yu)熱(re)時間Warm-up Time (minutes)	<5
工(gong)作(zuo)溫度(du)Operation Temperature (℃)	0~40
使(shi)用壽命Expected Lifetime (hours)	>10000
保(bao)修期Warranty Time	12個(ge)月

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下壹(yi)篇(pian)：TG-DSC300超(chao)高(gao)溫同(tong)步熱(re)分(fen)析儀(yi)

描(miao)述(shu)：HW-ISD2200nm紅外半導體激光(guang)器高(gao)功率穩(wen)定(ding)性(xing)、輸出功率0~Max連(lian)續(xu)可調(tiao)節(jie)，線(xian)偏振，TE00模(mo)；

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