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        1. 當(dang)前(qian)位(wei)置:首(shou)頁(ye)  >  產(chan)品中(zhong)心  >  先(xian)進(jin)材料(liao)測(ce)試儀器(qi)  >  絕緣(yuan)材料(liao)測(ce)試  >  HTIM-300型高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀
          型號(hao):
          HTIM-300型高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀

          描(miao)述(shu):HTIM-300高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀主(zhu)要用於半導體(ti)材料(liao)導電(dian)性能的(de)評(ping)估和(he)測(ce)試,該(gai)系統采用四線電(dian)阻法(fa)測(ce)量原(yuan)理進(jin)行設(she)計(ji)開(kai)發,可以在高溫(wen)、真空(kong)氣(qi)氛的(de)條件下測(ce)量半導體(ti)材料(liao)電(dian)阻和(he)電(dian)阻率,可(ke)以分(fen)析(xi)被測(ce)樣品電(dian)阻和(he)電(dian)阻率隨溫(wen)度(du)、時間(jian)變(bian)化的(de)曲線。目前(qian)主(zhu)要針對(dui)圓片(pian)、方(fang)塊、長條等(deng)測(ce)試樣(yang)品進(jin)行測(ce)試,可(ke)以廣(guang)泛(fan)用於半導體(ti)材料(liao)矽(si)、鍺(ge),化(hua)合物(wu)半導體(ti)材料(liao)砷(shen)化(hua)鎵(GaAs)、銻化銦(yin)(InSb),三(san)元(yuan)化合物(wu)半導體(ti)GaA

          • 廠(chang)商(shang)性質

            生(sheng)產(chan)廠(chang)家(jia)
          • 更(geng)新時間(jian)

            2025-12-02
          • 訪(fang)問量

            493
          詳細介紹(shao)
          品牌(pai)其他品牌(pai)產(chan)地類(lei)別(bie)國(guo)產
          應用領(ling)域能源,電(dian)子/電(dian)池(chi),航空(kong)航天,綜合

          HTIM-300型高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀

          HTIM-300型高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀
          HTIM-300高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀主(zhu)要用於半導體(ti)材料(liao)導電(dian)性能的(de)評(ping)估和(he)測(ce)試,該(gai)系統采用四線電(dian)阻法(fa)測(ce)量原(yuan)理進(jin)行設(she)計(ji)開(kai)發,可以在高溫(wen)、真空(kong)氣(qi)氛的(de)條件下測(ce)量半導體(ti)材料(liao)電(dian)阻和(he)電(dian)阻率,可(ke)以分(fen)析(xi)被測(ce)樣品電(dian)阻和(he)電(dian)阻率隨溫(wen)度(du)、時間(jian)變(bian)化的(de)曲線。目前(qian)主(zhu)要針對(dui)圓片(pian)、方(fang)塊、長條等(deng)測(ce)試樣(yang)品進(jin)行測(ce)試,可(ke)以廣(guang)泛(fan)用於半導體(ti)材料(liao)矽(si)、鍺(ge),化(hua)合物(wu)半導體(ti)材料(liao)砷(shen)化(hua)鎵(GaAs)、銻化銦(yin)(InSb),三(san)元(yuan)化合物(wu)半導體(ti)GaAsAl、GaAsP,固溶(rong)體(ti)半導體(ti),如Ge-Si、GaAs-GaP等(deng)的(de)塊體(ti)材料(liao)的(de)電(dian)阻率測(ce)量等材料(liao)的(de)電(dian)阻率測(ce)量。

          二(er)、主要應用領(ling)域:

          半導體(ti)材料(liao)電(dian)阻測(ce)試

          復合絕緣(yuan)材料(liao)

          陶(tao)瓷材料(liao)

          雲母(mu)

          玻(bo)璃(li)材料(liao)

          導電(dian)功(gong)能薄膜材料(liao)

          絕緣(yuan)超(chao)材料(liao)

          矽橡膠材料(liao)

          PCB材料(liao)
          三(san)、主(zhu)要技術參(can)數:
          溫(wen)度(du)範圍(wei):-160℃-600℃
          升(sheng)溫(wen)斜(xie)率:0-10℃/min (典(dian)型值(zhi):3℃/min)
          控(kong)溫(wen)精(jing)度(du):±0.5℃
          電(dian)阻測(ce)量範圍(wei):0.1mΩ~1MΩ
          電(dian)阻率測(ce)量範圍(wei):100nΩ..cm~100KΩ .cm
          測(ce)量環境:惰(duo)性氣(qi)氛、還(hai)原(yuan)氣(qi)氛、真空(kong)氣(qi)氛
          測(ce)量方(fang)法(fa):四線電(dian)阻法(fa)
          測(ce)試通(tong)道:單通(tong)道
          樣(yang)品尺寸:10mmx10mmX20mm或(huo)φ<20mm ,d<5mm
          電(dian)極材料(liao):紫銅(tong)鍍(du)金
          絕緣(yuan)材料(liao):99氧化(hua)鋁陶(tao)瓷
          數據存儲格(ge)式(shi):TXT文本(ben)格式(shi)
          數據傳(chuan)輸(shu):USB
          符合標(biao)準:ASTM
          供(gong)電(dian):220V±10%,50Hz
          工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du):5℃ 至(zhi) + 40 ℃;
          存儲溫(wen)度(du):–40 ℃ 至(zhi) +65 ℃
          工(gong)作(zuo)濕度(du):+40 ℃ 時,相(xiang)對(dui)濕(shi)度(du)高達(da) 95%(無冷(leng)凝(ning))
          設(she)備尺寸:400x450x580mm
          重(zhong)量:38kg

           

          案(an)列(lie):交(jiao)付中(zhong)科(ke)院上(shang)海(hai)微(wei)電(dian)子系(xi)統研究所

          HTIM-300型高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀 

          現場(chang)交(jiao)付圖(tu)

          能提供(gong)從-190℃到(dao)600℃溫(wen)度(du)範圍(wei)內(nei)的(de)精(jing)準控(kong)制。

          HTIM-300型高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀 

             現場(chang)實(shi)驗測(ce)試變(bian)溫(wen)電(dian)阻測(ce)試數據(二(er))

          測(ce)試樣(yang)品為(wei)高阻材料(liao),實驗顯(xian)示(shi)隨溫(wen)度(du)升(sheng)高,材料(liao)電(dian)阻在高溫(wen)下驟降(jiang)。在本次交(jiao)付中(zhong),針(zhen)對(dui)客(ke)戶(hu)需(xu)求(qiu),對(dui)配套(tao)軟件進行了(le)定制。

          HTIM-300型高低(di)溫(wen)材料(liao)電(dian)阻率測(ce)試儀 

          包(bao)含(han)兩(liang)種測(ce)試模(mo)式(shi):

          ①RT測(ce)試:樣(yang)品電(dian)阻隨溫(wen)度(du)變化(hua);

          ②數據時間(jian)譜(pu)測(ce)試:到(dao)達設(she)定(ding)溫(wen)度(du)後,樣(yang)品電(dian)阻隨時間(jian)變(bian)化。



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