描(miao)述(shu)：TF ANALYZER 2000E是(shi)壹款(kuan)擴(kuo)展(zhan)性的模(mo)塊化(hua)鐵(tie)電壓電分析(xi)儀，具(ju)備(bei)鐵(tie)電、壓電、熱釋(shi)電材料所有基(ji)本特性測試(shi)功(gong)能(neng)，可(ke)與激光(guang)幹涉(she)儀和SPM掃(sao)描探針顯微鏡(jing)等(deng)微(wei)位移傳感(gan)器聯(lian)用(yong)，可廣(guang)泛(fan)地(di)應用(yong)於如各種鐵(tie)電/壓電/熱釋(shi)電薄膜(mo)、厚膜(mo)、體材料和電子陶(tao)瓷、鐵(tie)電傳感(gan)器/執行(xing)器/存(cun)儲(chu)器(qi)等(deng)領(ling)域(yu)的研究。

模(mo)塊化(hua)設(she)計(ji)的TF Analyzer 2000 E具(ju)有優(you)異的擴(kuo)展(zhan)性。

鐵(tie)電壓電分析(xi)儀 TF Analyzer 2000E

TF ANALYZER 2000E是(shi)壹(yi)款(kuan)擴(kuo)展(zhan)性的模(mo)塊化(hua)鐵(tie)電壓電分析(xi)儀，具(ju)備(bei)鐵(tie)電、壓電、熱釋(shi)電材料所有基(ji)本特性測試(shi)功(gong)能(neng)，可(ke)與激光(guang)幹涉(she)儀和SPM掃(sao)描探針顯微鏡(jing)等(deng)微(wei)位移傳感(gan)器聯(lian)用(yong)，可廣(guang)泛(fan)地(di)應用(yong)於如各種鐵(tie)電/壓電/熱釋(shi)電薄膜(mo)、厚膜(mo)、體材料和電子陶(tao)瓷、鐵(tie)電傳感(gan)器/執行(xing)器/存(cun)儲(chu)器(qi)等(deng)領(ling)域(yu)的研究。

模(mo)塊化(hua)設(she)計(ji)的TF Analyzer 2000 E具(ju)有優(you)異的擴(kuo)展(zhan)性。

• FE模(mo)塊-鐵(tie)電標準(zhun)測試(shi)；

• MR模(mo)塊-磁(ci)阻(zu)和鐵(tie)性材料測試(shi)；

• RX模(mo)塊-弛(chi)豫電流測試(shi)；

• DR模(mo)塊-自(zi)放(fang)電測試(shi)。
  

測試(shi)基(ji)本單(dan)元(yuan)：包括內(nei)置完(wan)整(zheng)的(de)專(zhuan)用(yong)計(ji)算機主機(ji)和測試(shi)版(ban)路、運(yun)算放大(da)器、數(shu)據(ju)處(chu)理(li)單(dan)元(yuan)等(deng)，Windows 7 操(cao)作系統、鐵(tie)電分析(xi)儀專(zhuan)用(yong)測試(shi)軟(ruan)件等(deng)。

FE模(mo)塊標準(zhun)測試(shi)功(gong)能(neng)：
Dynamic Hysteresis 動(dong)態(tai)電滯回線測試(shi)頻(pin)率（標準(zhun)FE模(mo)塊0.001Hz~5kHz）； 
Static Hysterestic 靜(jing)態(tai)電滯回線測試(shi)； 
PUND 脈(mai)沖(chong)測試(shi)；
Fatigue 疲(pi)勞(lao)測試(shi)；
Retention 保(bao)持(chi)力；
Imprint 印跡(ji)；
Leakage current漏電流測試(shi)；
Thermo Measurement 變(bian)溫(wen)測試(shi)功(gong)能(neng)。

FE模(mo)塊可(ke)選(xuan)測試(shi)功(gong)能(neng)：
C-V curve電容-電壓曲線(xian)； 
Piezo Measurement壓電性能(neng)測試(shi)； 
Pyroelectric Measurement熱(re)釋電性能(neng)測試(shi)； 
In-situ Compensation 原位補(bu)償(chang)；
DLCC 動(dong)態(tai)漏電流補(bu)償(chang)功能(neng)。

技(ji)術說(shuo)明：
電壓範圍(wei)： +/- 25 V（可(ke)選(xuan)的附(fu)加高壓放大(da)器可(ke)擴(kuo)展(zhan)至(zhi)+/- 10KV）； 
電滯頻(pin)率：5 kHz（標準(zhun)FE模(mo)塊）；
最(zui)小脈(mai)沖(chong)寬(kuan)度：2 μs；
最(zui)小上(shang)升時(shi)間(jian)：1 μs；
電流放(fang)大(da)範圍(wei)：1pA～1A；
最(zui)大(da)負荷(he)電容：1μF；
輸出電流峰(feng)值(zhi)：+/-1 A。

可擴(kuo)展(zhan)部件：
高壓放大(da)器、激(ji)光(guang)幹涉(she)儀、AFM、溫(wen)度(du)控(kong)制(zhi)器(qi)、薄膜(mo)探針冷(leng)熱(re)臺、變溫(wen)塊體樣(yang)品(pin)盒、塊體變溫(wen)爐(lu)、薄膜(mo)e31測試(shi)平(ping)臺、超導磁(ci)體、PPMS等(deng)。

MR模(mo)塊是(shi)用(yong)來研究磁(ci)阻(zu)和鐵(tie)性材料的(de)。
此(ci)模(mo)塊提(ti)供連(lian)續(xu)電流激(ji)勵(li)和測試(shi)，樣(yang)品(pin)上的電壓降通過(guo)高精(jing)度(du)四(si)點(dian)測試(shi)。

RX模(mo)塊是(shi)用(yong)來研究介(jie)電體和鐵(tie)電材料的(de)極(ji)化和去(qu)極化(hua)電流的(de)，即施加電壓階躍(yue)後的(de)電流響應。
該測試(shi)能(neng)將(jiang)材料的(de)馳(chi)豫電流和漏電流分開(kai)，並(bing)可(ke)記(ji)錄極(ji)化(hua)響應電流和去(qu)極化(hua)響應電流。

DR模(mo)塊用(yong)於研究電介質(zhi)材料的(de)自(zi)漏電性。
由於測試(shi)條件非常(chang)接近(jin)實際情(qing)況(kuang)，因此(ci)通過(guo)這(zhe)種方(fang)式(shi)可(ke)容易地(di)測試(shi)應用(yong)於DRAM材料的(de)合(he)適性。

針(zhen)對(dui)工業方(fang)面(mian)的(de)應用(yong)，TF Analyzer 2000E提(ti)供了(le)256個自(zi)動(dong)測試(shi)的(de)通道(dao)，大(da)大(da)擴(kuo)展(zhan)了(le)該儀器(qi)的(de)測試(shi)功(gong)能(neng)。

以(yi)上所有的模(mo)塊可(ke)根據(ju)您的(de)測試(shi)需(xu)求以(yi)及科(ke)研方(fang)向(xiang)進行(xing)獨(du)立(li)選(xuan)擇或(huo)者任(ren)意組(zu)合(he)。