晶(jing)體(ti)結(jie)構(gou)對(dui)鐵(tie)電(dian)測試(shi)儀測試(shi)結(jie)果的(de)影響(xiang)

鐵(tie)電測試(shi)儀是(shi)壹款高量(liang)程(cheng)款(kuan)的(de)鐵電(dian)性能(neng)材料測試(shi)裝(zhuang)置，這(zhe)款(kuan)設(she)備可(ke)以(yi)適(shi)用(yong)於(yu)鐵電薄(bo)膜(mo)、鐵電體(ti)材料（既(ji)可塊(kuai)體(ti)材料）的(de)電性能(neng)測量(liang)，可測量(liang)鐵電薄(bo)膜(mo)電滯(zhi)回線(xian)、可(ke)測出具(ju)有(you)非(fei)對(dui)稱(cheng)電滯(zhi)回線(xian)鐵(tie)電薄(bo)膜(mo)值。可以(yi)進行(xing)電(dian)致(zhi)應變測試(shi)，可(ke)以(yi)蝴蝶(die)曲線功(gong)能，設(she)備還可(ke)以(yi)擴(kuo)展高溫(wen)電(dian)阻(zu)，高溫(wen)介(jie)電，電(dian)容(rong)-電(dian)壓(ya)曲線，TSC/TSDC等功(gong)能。動(dong)態電(dian)滯(zhi)回線(xian)測量(liang)-DHM、泄漏電(dian)流(liu)測量(liang)-LM、CV測量(liang)-CVM、疲(pi)勞(lao)測量(liang)-FM、保(bao)持(chi)力測量(liang)-RM、印記(ji)測量(liang)-IM、脈(mai)沖測量(liang)-PM、靜態電(dian)滯(zhi)回線(xian)測量(liang)-SHM、擊穿(chuan)電(dian)壓(ya)測量(liang)-BDM等，對於(yu)評(ping)估(gu)鐵(tie)電(dian)材(cai)料的(de)性能(neng)以(yi)及優(you)化器(qi)件(jian)設(she)計具(ju)有重(zhong)要意義(yi)。

同壹種材(cai)料，單晶(jing)體(ti)和多(duo)晶(jing)體(ti)的(de)電滯(zhi)回線(xian)是(shi)不(bu)同(tong)的(de)。如單晶(jing)體(ti)的(de)電滯(zhi)回線(xian)很(hen)接(jie)近於矩形，P和P很(hen)接(jie)近，而且(qie)P較高；陶瓷的(de)電滯(zhi)回線(xian)中(zhong)P與(yu)P相(xiang)差(cha)較(jiao)多(duo)，表(biao)明陶瓷多(duo)晶(jing)體(ti)不(bu)易(yi)成為單疇(chou)，即(ji)不(bu)易(yi)定(ding)向(xiang)排列(lie)。