ZJ-5型疊層(ceng)壓電(dian)D33測試(shi)儀(yi)在(zai)方形(xing)多(duo)層(ceng)疊堆壓電(dian)陶(tao)瓷使用

ZJ-5型疊層(ceng)壓電(dian)D33測試(shi)儀(yi)在(zai)方形(xing)多(duo)層(ceng)疊堆壓電(dian)陶(tao)瓷使用

ZJ-5型疊層(ceng)壓電(dian)D33測試(shi)儀(yi)在(zai) 方形(xing)多(duo)層(ceng)疊堆壓電(dian)陶(tao)瓷,是(shi)壹款(kuan)超(chao)高量(liang)程(cheng)的壓電(dian)測試(shi)儀(yi)，能(neng)夠勝(sheng)任(ren)萬級的壓電(dian)系數(shu)測量(liang)。多層(ceng)及(ji)疊層(ceng)壓電(dian)的研(yan)究是(shi)目(mu)前(qian)壹個(ge)全新的領(ling)域(yu)，也是(shi)壓電(dian)陶(tao)瓷新的發展(zhan)方(fang)向。

       方形(xing)多層(ceng)疊堆壓電(dian)陶(tao)瓷

     多層(ceng)壓電(dian)陶(tao)瓷是(shi)壹種重(zhong)要(yao)的換(huan)能(neng)材料，具(ju)有優良(liang)的機(ji)電(dian)耦合(he)效(xiao)應(ying)和(he)對外(wai)場(chang)響應迅(xun)速(su)且(qie)體(ti)積小、驅動電(dian)壓低(di)的特(te)點，在(zai)機(ji)電(dian)換(huan)能(neng)及自動控(kong)制(zhi)等領域得到了廣(guang)泛(fan)應用

壓電(dian)陶(tao)瓷片內(nei)部由陶(tao)瓷層(ceng)及(ji)電(dian)極(ji)層(ceng)，相(xiang)互(hu)交(jiao)叉(cha)疊堆，外(wai)部兩側通過(guo)印(yin)刷(shua)電(dian)極(ji)，將(jiang)內部電(dian)極(ji)引(yin)出。

其余(yu)四(si)面有陶(tao)瓷絕緣(yuan)層(ceng)，防(fang)潮效果(guo)好(hao)，並在(zai)側面陶(tao)瓷層(ceng)上(shang)印(yin)有(you)“十(shi)字(zi)"圖案(an)做為(wei)正(zheng)極(ji)標識。               

       陶(tao)瓷芯片位移(yi)為其厚(hou)度(du)的1‰,標準厚(hou)度(du)有(you)2mm/3mm，平面度<±5μm(支(zhi)持(chi)其(qi)他(ta)厚(hou)度定制(zhi))。

       驅動電(dian)壓範(fan)圍(wei)：-10V~75V，-20V~100V,-30V~150V。

壓電(dian)陶(tao)瓷片內(nei)部由陶(tao)瓷層(ceng)及(ji)電(dian)極(ji)層(ceng)，相(xiang)互(hu)交(jiao)叉(cha)疊堆,外(wai)部兩側通過(guo)印(yin)刷(shua)電(dian)極(ji),將(jiang)內部電(dian)極(ji)引(yin)出。其余四(si)面有陶(tao)瓷絕緣(yuan)層(ceng)，防(fang)潮效果(guo)好(hao),並在(zai)側面陶(tao)瓷層(ceng)上(shang)印(yin)有(you)“十(shi)字(zi)"圖案(an)做為(wei)正(zheng)極(ji)標識。

陶(tao)瓷芯片位移(yi)為其厚(hou)度(du)的1‰,標準厚(hou)度(du)有(you)2mm/3mm ，平面度<土(tu)5 um(支(zhi)持(chi)其(qi)他(ta)厚(hou)度定制(zhi))。

驅動電(dian)壓範(fan)圍(wei):-10V～75V,-20V～100V,-30V～150V

特(te)性(xing)

亞(ya)毫(hao)秒(miao)級響(xiang)應亞(ya)微(wei)米(mi)級(ji)分辨(bian)率方形(xing)&圓(yuan)形(xing)&中(zhong)孔(kong)可(ke)選>低(di)功耗，抗(kang)磁場幹擾(rao)>可(ke)真空環(huan)境(jing)使(shi)用>尺寸/電(dian)壓可(ke)定制(zhi)