描(miao)述(shu)：NCM-300型(xing)鋰(li)（鈉）離子(zi)正(zheng)極(ji)電(dian)池電(dian)阻率測(ce)試儀(yi)是(shi)壹款能(neng)夠(gou)結合高精(jing)度(du)壓力(li)控(kong)制、厚(hou)度和(he)電(dian)阻測(ce)試系(xi)統，四探(tan)針和(he)兩(liang)探針法自(zi)由(you)選擇(ze)，精(jing)準測(ce)試粉末的(de)電(dian)阻率和(he)壓實(shi)密度(du)，可用(yong)於(yu)材料研發以及粉末物料批次穩(wen)定(ding)性監控(kong)。是(shi)研究新能(neng)源材料性能的(de)重(zhong)要設備(bei)。

關(guan)鍵詞(ci): 正負(fu)極粉末,電(dian)阻率，固態(tai)鋰(li)電(dian)池

NCM-300型鋰（鈉）離子(zi)正(zheng)極(ji)電(dian)池電(dian)阻率測(ce)試儀(yi)是(shi)壹款能(neng)夠(gou)結合高精(jing)度(du)壓力(li)控(kong)制、厚(hou)度和(he)電(dian)阻測(ce)試系(xi)統，四探(tan)針和(he)兩(liang)探針法自(zi)由(you)選擇(ze)，精(jing)準測(ce)試粉末的(de)電(dian)阻率和(he)壓實(shi)密度(du)，可用(yong)於(yu)材料研發以及粉末物料批次穩(wen)定(ding)性監控(kong)。是(shi)研究新能(neng)源材料性能的(de)重(zhong)要設備(bei)。
應(ying)用：鋰(li)（鈉）電(dian)正負(fu)極粉末（LCO/NCM/LFP/Graphite等）、導(dao)電(dian)劑(ji)、固態(tai)電(dian)解(jie)質(zhi)粉末、其(qi)他(ta)微米級粉末材料等。

· 電(dian)池材料研發： 電(dian)池制造(zao)與(yu)質(zhi)量控(kong)制

· 粉體來料的(de)質(zhi)量壹致(zhi)性(xing)評價(jia)： 篩選異(yi)常(chang)批次原料/工藝參(can)數(shu)

· 科(ke)研研究：研究粉末微結構(gou)、電(dian)導(dao)機制(zhi)、顆粒(li)接觸行為(wei)

主要特點：
1、超寬(kuan)加壓範圍(wei)(最大(da)350MPa)與(yu)超寬(kuan)電(dian)阻測(ce)量範圍(wei)(1200MΩ);
2、電(dian)阻測(ce)量時，兩(liang)探針和(he)四探(tan)針雙(shuang)原理自(zi)由(you)切換(huan)；
3、全(quan)自(zi)動(dong)測(ce)試軟(ruan)件(jian)，參(can)數(shu)自(zi)由(you)設置(zhi)，壹鍵(jian)開啟(qi)；
4、實(shi)時監控(kong)並輸出(chu)壓力(li)、壓強(qiang)、環(huan)境溫(wen)度(du)、環(huan)境濕度(du)、厚度、電(dian)阻、電(dian)阻率、電(dian)導(dao)率(lv)、壓實(shi)密度(du)等參(can)數(shu)曲(qu)線，並自(zi)動(dong)保(bao)存測(ce)試數(shu)據。
5、粉末多種測(ce)試模(mo)式：加壓、單點卸(xie)壓、穩態卸(xie)壓；
6、配備(bei)經(jing)第(di)三(san)方(fang)計量院(yuan)校準的(de)標(biao)準厚度塊和(he)電(dian)阻塊。

符合規(gui)範(fan)：

新GBT 30835 -2014《鋰離子(zi)電(dian)池用炭(tan)復合磷酸(suan)鐵(tie)鋰(li)正(zheng)極(ji)材料》中關(guan)於(yu)粉末電(dian)阻率測(ce)試的(de)原理和(he)規(gui)範(fan)，

參照(zhao)GB/T 1551 - 2009 《矽單晶電(dian)阻率測(ce)定(ding)方(fang)法》、

GB/T 1552-1995《矽、鍺單晶電(dian)阻率測(ce)定(ding)直流(liu)四探(tan)針法》並參考美(mei)國(guo)A. S . T .M 標(biao)準

測(ce)試原理

· 新型(xing)多探針技(ji)術(shu)：在裝樣(yang)高度(du)方(fang)向上(shang)集成(cheng)多個(ge)探針,同時(shi)檢測(ce)多段(duan)粉末電(dian)阻;

· 測(ce)量方(fang)法：每(mei)個(ge)探針獨(du)立(li)施(shi)加(jia)電(dian)流(liu)並測(ce)量電(dian)壓，結合多個(ge)測(ce)量點的(de)數(shu)據，計(ji)算電(dian)阻值(zhi);

· 數據處(chu)理(li)與(yu)計(ji)算(suan)：結合電(dian)流(liu)、電(dian)壓、探針間(jian)距和(he)樣(yang)品(pin)厚(hou)度(du)，計(ji)算樣(yang)品(pin)的(de)電(dian)阻率，分析電(dian)導(dao)特(te)性(xing);

· 測(ce)量結果(guo)輸(shu)出(chu)：系統實(shi)時顯示電(dian)阻值(zhi)、電(dian)阻率等(deng)結果(guo)。

測(ce)量模式(shi)

· 測(ce)試系(xi)統實(shi)現以(yi)下功(gong)能 (類似電(dian)池充(chong)放(fang)電(dian)，CC+CV模(mo)式(shi)，Step Charge 模(mo)式(shi))；

· 不同加(jia)載壓力(li)速(su)率到目標(biao)壓力(li)，目標(biao)壓力(li)保持(chi)壹定(ding)時(shi)間(jian)， 記錄對應(ying)信息(xi)，完成(cheng)測(ce)試；

粉末電(dian)阻測(ce)試曲(qu)線圖

· 電(dian)阻率：高能(neng)量型（0514）＞容(rong)量型（0511）＞倍率型（0516）；

· 評估(gu)粉體材料類型（容(rong)量型、倍率型、高能(neng)量型）與(yu)電(dian)阻率、壓實(shi)密度(du)的(de)關(guan)聯性(xing)，為(wei)優化電(dian)池正極(ji)材料配方(fang)及工藝(yi)參數(shu)提(ti)供(gong)數(shu)據支(zhi)持。

主要技(ji)術(shu)參(can)數(shu)：