描述：DAD-4型(xing)交(jiao)流法導(dao)電(dian)材(cai)料(liao)電(dian)阻率(lv)測(ce)試儀是壹(yi)種(zhong)區(qu)別(bie)於直(zhi)流法測(ce)試材料(liao)電(dian)阻率(lv)的(de)新的測(ce)試方法，主(zhu)要(yao)是(shi)針對(dui)於離(li)子導(dao)電(dian)物質（如(ru)電(dian)解質溶(rong)液、導電(dian)凝(ning)膠）和導(dao)電(dian)粉體懸濁液（如碳(tan)粉、石(shi)墨烯(xi)粉體漿料(liao)）設(she)計的(de)電(dian)阻率(lv)測(ce)試儀器。適用範(fan)圍(wei)：廣泛(fan)應用於科(ke)研(yan)單位、高(gao)等(deng)院(yuan)校(xiao)對(dui)凝(ning)膠、溶(rong)液、離子(zi)導(dao)電(dian)材(cai)料(liao)以(yi)及(ji)不適用於直(zhi)流測(ce)試樣品的導電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試。

DAD-4型(xing)交(jiao)流法導(dao)電(dian)材(cai)料(liao)電(dian)阻率(lv)測(ce)試儀

關(guan)鍵(jian)詞：電(dian)解質溶(rong)液、導電(dian)凝(ning)膠、碳(tan)粉、石(shi)墨烯(xi)粉體漿料(liao)

DAD-4型(xing)交(jiao)流法導(dao)電(dian)材(cai)料(liao)電(dian)阻率(lv)測(ce)試儀是壹(yi)種(zhong)區(qu)別(bie)於直(zhi)流法測(ce)試材料(liao)電(dian)阻率(lv)的(de)新的測(ce)試方法，主(zhu)要(yao)是(shi)針對(dui)於離(li)子導(dao)電(dian)物質（如(ru)電(dian)解質溶(rong)液、導電(dian)凝(ning)膠）和導(dao)電(dian)粉體懸濁液（如碳(tan)粉、石(shi)墨烯(xi)粉體漿料(liao)）設(she)計的(de)電(dian)阻率(lv)測(ce)試儀器。適用範(fan)圍(wei)：廣泛(fan)應用於科(ke)研(yan)單位、高(gao)等(deng)院(yuan)校(xiao)對(dui)凝(ning)膠、溶(rong)液、離子(zi)導(dao)電(dian)材(cai)料(liao)以(yi)及(ji)不適用於直(zhi)流測(ce)試樣品的導電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)試。

壹(yi)、主(zhu)要(yao)功(gong)能(neng)材(cai)料(liao)測(ce)試項目：

1、離子(zi)導(dao)電(dian)物質（如(ru)電(dian)解質溶(rong)液、導電(dian)凝(ning)膠）電(dian)阻率(lv)，電(dian)導(dao)率(lv)測(ce)試

2、導電(dian)粉體懸濁液（如碳(tan)粉、石(shi)墨烯(xi)粉體漿料(liao)）電(dian)阻率(lv)，電(dian)導(dao)率(lv)測(ce)試

3、可測(ce)金屬箔、碳(tan)紙(zhi)等(deng)導電(dian)薄(bo)膜，也(ye)可測(ce)陶瓷(ci)、玻(bo)璃或 PE 膜等(deng)基(ji)底(di)薄(bo)膜塗層電(dian)阻率(lv)/方(fang)阻

二(er)、符合：

符合：符合 GB/T 1551-2009《矽(gui)單晶電(dian)阻率(lv)測(ce)定方(fang)法》

GB/T 1551-1995《矽、鍺單晶電(dian)阻率(lv)測(ce)定直(zhi)流兩(liang)探(tan)針法》

GB/T 1552-1995《矽、鍺單晶電(dian)阻率(lv)測(ce)定直(zhi)流四探(tan)針法》等(deng)國標(biao)並(bing)參(can)考(kao)美國 A.S.T.M 標(biao)準(zhun)。

三、 優(you)勢(shi)特(te)征：

1、本測(ce)試儀特(te)增(zeng)設(she)測(ce)試結果自動分(fen)類(lei)功(gong)能(neng)。

2、可定制(zhi) USB 通訊接(jie)口(kou)，便於其(qi)拓展為(wei)集成(cheng)化測(ce)試系(xi)統(tong)中的(de)測(ce)試模塊。

3、8 檔(dang)位(wei)超(chao)寬(kuan)量(liang)程(cheng)，行業。 同行壹(yi)般為(wei)五到(dao)六檔(dang)位(wei)。

4、儀器(qi)小(xiao)型(xing)化、手動/自動壹(yi)體化(hua)。

5、儀器(qi)操(cao)作(zuo)簡(jian)便(bian)、性(xing)能(neng)穩定，所有參數設(she)定、功(gong)能(neng)轉(zhuan)換全(quan)部采用(yong)數(shu)字(zi)化(hua)鍵(jian)盤輸入(ru)，簡(jian)便(bian)而(er)且(qie)免(mian)除(chu)模擬(ni)定位(wei)器(qi)的不穩定。

6、 探(tan)頭(tou)選(xuan)配：根(gen)據不同材料(liao)特(te)性需(xu)要(yao)，探(tan)頭(tou)可(ke)有(you)多(duo)款選(xuan)配。

四、基(ji)本技(ji)術(shu)參(can)數(shu)

3.1 測(ce)量(liang)範圍(wei)

1、電(dian)阻率(lv)：2πS*（0.10Ωm～100kΩm），（ S 針距(ju)，單位 m）

2、電(dian)阻：0.10Ω～100.0kΩ

3、 材料(liao)尺(chi)寸(由選(xuan)配測(ce)試臺和測(ce)試方式(shi)決(jue)定)

4、直 徑(jing)：測(ce)試臺直接(jie)測(ce)試方式(shi) 180mm×180mm

5、手持方(fang)式(shi)不限. 長(高)度：測(ce)試臺直接(jie)測(ce)試方式(shi) H≤100mm,

6、測(ce)量(liang)方位(wei): 軸向(xiang)、徑向(xiang)均可(ke)

7、碳(tan)化鎢探(tan)針：Φ0.5mm，直(zhi)線(xian)探(tan)針間(jian)距 1.0mm，探(tan)針壓(ya)力(li): 0～2kg 可調(tiao)

(薄膜方阻探(tan)針：Φ0.7mm，直(zhi)線(xian)或方(fang)形(xing)探(tan)針間(jian)距 2.0mm，探(tan)針壓(ya)力(li): 0～

0.6kg 可調(tiao)

8、電(dian)源(yuan)：22V，DC 8.4V (充電(dian)鋰(li)電(dian)池(chi)，大(da)容量(liang)電(dian)池(chi)為(wei)廠(chang)家定制(zhi))

9、.外形尺寸、重(zhong)量(liang)：

10、主(zhu) 機(ji)： 240mm（長）×130 mm（寬(kuan)）×50mm（高）， 凈 重(zhong)：≤2.5kg

11、帶(dai)電(dian)腦(nao)軟(ruan)件(jian)，可(ke)以(yi)保(bao)存(cun)、查(zha)詢(xun)、統(tong)計分(fen)析(xi)數(shu)據和打印(yin)報告(gao)。

12、USB 通訊接(jie)口(kou)，通用(yong)性好(hao)、方(fang)便(bian)快(kuai)捷。

13、可以(yi)配(pei)置(zhi)ZJ-3型(xing)壓電(dian)測(ce)試儀進(jin)行D33系(xi)數(shu)測(ce)試