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2025-12-01訪(fang)問量
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材(cai)料電(dian)化學實驗(yan)設(she)備(bei)
ARTICLES致(zhi)力(li)於(yu)成(cheng)為(wei)更(geng)好的(de)解決方案供(gong)應商(shang)!
2025-07-11
+2024-11-18
+2016-07-08
+
詳(xiang)細(xi)介(jie)紹(shao)
| 品(pin)牌 | 其(qi)他(ta)品(pin)牌 | 產(chan)地(di)類別(bie) | 國(guo)產 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 能(neng)源(yuan),鋼鐵(tie)/金屬,航空(kong)航天,汽車及(ji)零(ling)部(bu)件,電(dian)氣 |
JKZC-YDZK03AN壓電(dian)阻抗綜(zong)合(he)測(ce)試(shi)系統
關(guan)鍵(jian)詞(ci):壓電(dian)系數(shu),阻抗,顯(xian)微(wei)鏡(jing),高低溫(wen)

JKZC-YDZK03N壓電(dian)阻抗綜(zong)合(he)測(ce)試(shi)系統是壹款(kuan)多(duo)用途的(de)綜合(he)測(ce)試(shi)系統,即(ji)可用於(yu)縱(zong)向(xiang)壓電(dian)D33測試(shi),豎(shu)向(xiang)D15,橫(heng)向(xiang)D31等(deng)性(xing)能(neng)測(ce)試(shi),配(pei)置(zhi)了(le)高(gao)低溫冷(leng)熱(re)臺(tai),進行變溫(wen)測試(shi),配(pei)置(zhi)顯(xian)微(wei)鏡(jing)進行微(wei)觀(guan)觀測,也可以用(yong)於(yu)用於用(yong)於鐵(tie)電(dian)晶體(ti)、壓電(dian)陶瓷(ci)、壓電(dian)晶體(ti)、超聲(sheng)波換(huan)能(neng)器(qi)等(deng)器(qi)件的(de)阻抗分(fen)析與測(ce)試(shi),是對(dui)壓電(dian)器件(jian)和設(she)備進行頻(pin)率掃(sao)描(miao)和阻抗測(ce)量分(fen)析的(de)*解決方案,可以快(kuai)捷(jie)方便地(di)測試(shi)壓電(dian)器件(jian)的(de)各項參數(shu)特性(xing),正反諧振(zhen)阻抗及(ji)壓電(dian)材(cai)料的(de)電(dian)容等(deng)相(xiang)關系數(shu),是研(yan)究(jiu)壓電(dian)材(cai)料和(he)阻抗分(fen)析的(de)綜合(he)設(she)備(bei),是科(ke)研的(de)重(zhong)要輔助(zhu)設(she)備。
壹、產品(pin)應用範(fan)圍:
1.壓電(dian)材(cai)料器(qi)件科學研究(jiu)
2.壓電(dian)材(cai)料的(de)用於評(ping)定(ding)壓電(dian)陶瓷(ci)片(pian)性(xing)能(neng)優(you)劣
3.壓電(dian)材(cai)料阻抗分(fen)析
4.其(qi)他(ta)介(jie)質(zhi)材(cai)料: 塑料、陶瓷(ci)和(he)其(qi)它(ta)材(cai)料的(de)介電(dian)常數(shu)和損(sun)耗角(jiao)評估
磁(ci)性(xing)材(cai)料:鐵(tie)氧體(ti)、非(fei)晶體(ti)和其(qi)它(ta)磁(ci)性(xing)材(cai)料的(de)導(dao)磁(ci)率和損耗角(jiao)評估
半導(dao)體(ti)材(cai)料:半導(dao)體(ti)材(cai)料的(de)介電(dian)常數(shu)、導(dao)電(dian)率和C-V特性(xing)
液(ye)晶(jing)單(dan)元(yuan):介(jie)電(dian)常數(shu)、彈(dan)性(xing)常數(shu)等(deng)C-V特性(xing)
5. 導(dao)體(ti)材(cai)料:半導(dao)體(ti)材(cai)料的(de)介電(dian)常數(shu)、導(dao)電(dian)率和C-V特性(xing)
半導(dao)體(ti)元件(jian):LED驅(qu)動(dong)集成(cheng)電(dian)路(lu)寄(ji)生(sheng)參數(shu)測試(shi)分(fen)析;變容二極管(guan)的(de)C-VDC特性(xing); 晶體(ti)管或(huo)集成(cheng)電(dian)路(lu)的(de)寄生(sheng)參數(shu)分(fen)析
二、主要技術(shu)參數(shu):
頻(pin)率:10HZ-30MHZ
測(ce)試(shi)電(dian)平:AC: AC電(dian)壓:5mV - 2Vrms ,分(fen)辨率:1mV, DC:±40V,分(fen)辨率:1mV
測(ce)試(shi)參數(shu):Cp/Cs、Lp/Ls、Rp/Rs、|Z|、|Y|、R、X、G、B、θ、D、Q、Vac、Iac、Rdc、Vdc、Idc
顯(xian)微(wei)鏡(jing):630萬(wan)像素(su),偏光觀(guan)察模(mo)式(shi)
薄膜平臺(tai):30*30MM樣品(pin)臺(tai),探針連(lian)接(jie)
×1擋:10到2000pC/N,20 至(zhi)4000pC/N,可以升級到10000PC/N.
×0.1擋: 1到200pC/N,2 至(zhi)400pC/N。
可以配(pei)套(tao)PZT-JH10/4/8/12型壓電(dian)極化(hua)裝(zhuang)置使用(yong)
可以配(pei)套(tao)ZJ-D33-YP15壓電(dian)壓片(pian)機(ji)使用(yong)
誤(wu)差(cha):×1擋:±2%±1個數(shu)字,當d33在100到4000pC/N;
計(ji)量標定標準樣尺寸(cun):18mm*0.8mm,老化(hua)時(shi)間(jian):2-3年(nian)(評(ping)判(pan)壓電(dian)測試(shi)儀(yi)準(zhun)確(que)性(xing)能(neng)的(de)重(zhong)要依(yi)據(ju)之(zhi)壹)
提(ti)供(gong)壓電(dian)薄膜標準片(pian):20*20MM
電(dian)壓保(bao)護:放電(dian)保護(hu)功能(neng)
±5%±1個(ge)數(shu)字,當d33在10到200pC/N;
×0.1擋:±2%±1個數(shu)字,(當d33在10到200pC/N)
±5%±1個(ge)數(shu)字,當d33在10到20pC/N。
分(fen)辨率: ×1擋:1 pC/N;×0.1擋:0.1 pC/N。
尺寸(cun):施力(li)裝(zhuang)置:Φ110×140mm;儀(yi)器本體(ti):240×200×80mm。
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