常(chang)用(yong)的壓(ya)電材(cai)料及(ji)測(ce)試儀器(qi)（PZT, ZrO2, Nb2O5, PVDF）

ZJ-3型(xing)精(jing)密(mi)D333

測(ce)試儀

ZJ-3型(xing)壓(ya)電測(ce)試儀（靜(jing)壓(ya)電系數d33測(ce)量儀）是(shi)為(wei)測(ce)量壓(ya)電材(cai)料的d33常(chang)數而設計的專(zhuan)用儀器(qi)，它(ta)可(ke)用來(lai)測(ce)量具(ju)有大壓(ya)電常(chang)數的壓(ya)電陶(tao)瓷，小(xiao)壓(ya)電常(chang)數的壓(ya)電單晶及(ji)壓(ya)電高(gao)分子(zi)材(cai)料。此外，也(ye)可測(ce)量任(ren)意(yi)取向壓(ya)電單晶以(yi)及(ji)某(mou)些壓(ya)電器(qi)件的等(deng)效(xiao)壓(ya)電d’33常(chang)數，儀器(qi)測(ce)量範圍(wei)寬，分(fen)辨(bian)率(lv)細(xi)，可(ke)靠(kao)性高(gao)，操(cao)作簡單，對(dui)試(shi)樣大小(xiao)及(ji)形(xing)狀(zhuang)無特殊要(yao)求(qiu)，圓(yuan)片、圓(yuan)環(huan)、圓(yuan)管、方塊、長(chang)條(tiao)、柱(zhu)形及(ji)半球殼(ke)等(deng)均可(ke)測(ce)量，測(ce)量結果(guo)和(he)極性在(zai)三(san)位半數字(zi)面板(ban)表上(shang)直(zhi)接(jie)顯(xian)示。ZJ-3型(xing)增加(jia)了對(dui)被(bei)測(ce)元件的放(fang)電(dian)保護、放(fang)電(dian)提示以(yi)及(ji)被(bei)測(ce)波形(xing)輸(shu)出(chu)等(deng)功(gong)能，使得(de)儀器(qi)在(zai)測(ce)量未放(fang)電(dian)（尤(you)其是(shi)較(jiao)大尺寸(cun)）的壓(ya)電元件時具(ju)備了高(gao)電壓(ya)放(fang)電(dian)提示及(ji)保護功(gong)能，本(ben)儀器(qi)是(shi)從事壓(ya)電材(cai)料及(ji)壓(ya)電元件生產(chan)、應(ying)用與(yu)研究部(bu)門的儀器(qi)。

d33測(ce)量範圍(wei)：

 ×1擋：10到2000pC/N，20 至(zhi)4000pC/N，可(ke)以(yi)升級(ji)到10000PC/N.
  ×0.1擋： 1到200pC/N，2 至(zhi)400pC/N。

可配D31塊(kuai)體夾具(ju)，D15塊體夾具(ju)，D15圓管(guan)夾(jia)具(ju)，薄膜(mo)拉伸(shen)夾具(ju)

可以(yi)配套(tao)PZT-JH10/4/8/12型(xing)壓(ya)電極化裝(zhuang)置(zhi)使用(yong)

可以(yi)配套(tao)ZJ-D33-YP15壓(ya)電壓(ya)片機(ji)使(shi)用
  誤(wu)差(cha)：×1擋：±2%±1個數字(zi)，當(dang)d33在(zai)100到4000pC/N；

計量標(biao)定標(biao)準樣尺寸：18mm*0.8mm，老化時(shi)間(jian)：2-3年(nian)（評判壓(ya)電測(ce)試儀準確(que)性能(neng)的重(zhong)要依(yi)據之壹）
  ±5%±1個數字(zi)，當(dang)d33在(zai)10到200pC/N；
  ×0.1擋：±2%±1個數字(zi)，(當(dang)d33在(zai)10到200pC/N)
  ±5%±1個數字(zi)，當(dang)d33在(zai)10到20pC/N。
  分(fen)辨(bian)率(lv)：   ×1擋：1 pC/N；×0.1擋：0.1   pC/N。
  尺寸：施力(li)裝置(zhi)：Φ110×140mm；儀器(qi)本(ben)體：240×200×80mm。
  重量：施(shi)力(li)裝置(zhi)：約4公斤(jin)；     
  儀器(qi)本(ben)體：2公斤(jin)。
  電源(yuan)：220伏(fu)，50赫，20瓦(wa)。

補(bu)充(chong)參數:

TDZT-04C鐵電(dian)性能(neng)綜合測(ce)試系統

TDZT-04C鐵電(dian)性能(neng)綜合測(ce)試系統是(shi)最新(xin)壹代鐵電材(cai)料參數測(ce)試儀適(shi)用於(yu)鐵(tie)電薄膜(mo)、鐵(tie)電(dian)體材(cai)料（既(ji)可塊(kuai)體材(cai)料）的電(dian)性能(neng)測(ce)量，可(ke)測(ce)量鐵(tie)電(dian)薄膜(mo)電(dian)滯(zhi)回線、I—V特(te)性及(ji)開(kai)關(guan)特(te)性，可(ke)精(jing)確(que)地測(ce)出(chu)具(ju)有非對(dui)稱(cheng)電滯(zhi)回線鐵(tie)電薄膜(mo)的Pr值(zhi)。可(ke)測(ce)鐵電(dian)體材(cai)料的電(dian)滯(zhi)回線及(ji)I—V特(te)性。

主要(yao)技術指標(biao)：

1.輸出(chu)信(xin)號電(dian)壓(ya)：：薄膜(mo)：0～±10V 陶(tao)瓷、材(cai)料：0～±2000V

2.輸出(chu)信(xin)號頻(pin)率：薄膜(mo)材(cai)料1-1000HZ，陶(tao)瓷：0-1Hz

3.電容(rong)範圍(wei)：1000nf～ 100nf, 精(jing)度(du): ≤1%。

4.電流(liu)範圍(wei): 1nA～10A ,精(jing)度(du): ≤1%。

5、測(ce)試樣(yang)品(pin)：0-20mm  5個

6、高(gao)壓(ya)樣品(pin)池(chi)：開(kai)放(fang)式(shi)：8CM*5CM

7、三維(wei)移(yi)動(dong)薄(bo)膜(mo)測(ce)試平(ping)臺(tai)：直(zhi)立式(shi)探針(zhen)壹套(tao)

8、電流(liu)：1-10倍(bei)放(fang)大，信(xin)號：1-20倍(bei)。.數(shu)據結口(kou)：USB或(huo)BNC接(jie)口。

9. 數據采(cai)集(ji)分(fen)析(xi)軟(ruan)件： 能畫(hua)出(chu)鐵電(dian)薄膜(mo)的電(dian)滯(zhi)回線，定量得(de)到鐵(tie)電(dian)薄膜(mo)材(cai)料的飽(bao)和(he)極化Ps、剩(sheng)余(yu)極化Pr、矯頑(wan)場(chang)Ec、漏(lou)電流(liu)等(deng)參數;可(ke)以(yi)進(jin)行鐵(tie)電(dian)薄(bo)膜(mo)材(cai)料的鐵(tie)電疲(pi)勞性能(neng)、鐵電保持性能(neng)的測(ce)試，電(dian)阻測(ce)量，漏(lou)電流(liu)測(ce)量。

10.可以(yi)配合(he)ZJ-3和ZJ-6型(xing)壓(ya)電測(ce)試儀操(cao)作系統

PZT-JH10/4壓(ya)電極化裝(zhuang)置(zhi)（10KV以(yi)下壓(ya)電陶(tao)瓷同時極化1-4片）

PZT-JH10/4壓(ya)電極化裝(zhuang)置(zhi)（10KV以(yi)下壓(ya)電陶(tao)瓷同時極化1-4片）

關(guan)鍵(jian)詞(ci)：壓(ya)電極化，壓(ya)電陶(tao)瓷材(cai)料，1-4片

主要(yao)特(te)點：

1.能夠同時極化1-4片試(shi)樣

2.提供(gong)多(duo)套(tao)測(ce)試夾(jia)具(ju)（可以(yi)測(ce)試粉(fen)末，單樣品(pin)，及(ji)薄(bo)的壓(ya)電陶(tao)瓷片）

2. 安(an)全(quan)可靠(kao)，溫(wen)度(du)補(bu)償快、恒(heng)溫(wen)精(jing)度(du)高(gao)

3. 每(mei)路(lu)當(dang)漏(lou)電流(liu)超過(guo)規(gui)定值(zhi)時(shi)，都(dou)具(ju)有切(qie)斷(duan)保護功(gong)能，不影響(xiang)其它樣(yang)片的極化，其它回(hui)路(lu)可(ke)按(an)正常(chang)極化時(shi)間(jian)完(wan)成極化。

4. 任(ren)意(yi)夾持樣(yang)品(pin)尺(chi)寸(cun)為(wei)0-40mm片方(fang)型(xing)或(huo)是(shi)圓(yuan)型(xing)試(shi)樣(yang)

7、工(gong)作電(dian)源(yuan)：AC220V  50/60HZ

8、額(e)定功(gong)率：2.0kw

9、壓(ya)電材(cai)料極化或(huo)耐壓(ya)測(ce)試：DC：0-10KV（±5％+2個字(zi)）連續(xu)可(ke)調(tiao)

10、總(zong)電流：10mA

11、每(mei)路(lu)切(qie)斷(duan)電流：0.5mA

12、加熱(re)時間(jian)：可以(yi)自動(dong)設(she)定

13、加熱(re)元件 ：優質電阻絲(si)

14、1次測(ce)試試(shi)樣(yang)數(shu)量:可(ke)加(jia)載(zai)1-4片試(shi)樣

15、額(e)定溫(wen)度(du) ：≤180℃

16、最高(gao)溫(wen)度(du) ：200℃

17、控溫(wen)方(fang)式(shi) ：智能(neng)化恒(heng)溫(wen)控(kong)制（進(jin)口表(biao)），多(duo)段程(cheng)序可(ke)控(kong)

18、樣片 ：樣(yang)品(pin)尺(chi)寸(cun)為(wei)3-40mm片方(fang)型(xing)或(huo)是(shi)圓(yuan)型(xing)試(shi)樣(yang)

19、外形(xing)尺(chi)寸 ： 875*470*400（mm)

20、極化探頭(tou)：優(you)質銅電(dian)極（0.2mm）

21、標(biao)準極化樣(yang)品(pin)：8片（10mm*1.5mm）

21、配套(tao)設備裝置(zhi)：能夠配合(he)ZJ-3和ZJ-6壓(ya)電測(ce)試儀進(jin)行測(ce)量

22、配套(tao)設備裝置(zhi)：可以(yi)配置(zhi)10MM，20MM，30MM，40MM壓(ya)片夾(jia)具(ju)

JKZC-YDZK03A

型(xing)

壓(ya)電阻抗

測(ce)試儀

JKZC-YDZK03A Dielectric   tester型(xing)壓(ya)電阻抗測(ce)試儀

關(guan)鍵(jian)詞(ci)：介電(dian)常數，諧振頻率(lv)Fp，機(ji)電(dian)耦合系數Keff，機(ji)械(xie)品(pin)質因素(su) Qm

JKZC-YDZK03A   Dielectric tester型(xing)介(jie)電(dian)測(ce)試儀是(shi)壹款(kuan)多(duo)功(gong)能的介(jie)電測(ce)試儀，即(ji)可測(ce)試包(bao)括(kuo)介電(dian)常數(shu)、介電損(sun)耗、電(dian)容等(deng)參數，又(you)可(ke)以(yi)測(ce)量諧振頻率(lv)Fs，反諧振頻率(lv)Fp，機(ji)電(dian)耦合系數   Keff，機(ji)械(xie)品(pin)質因素(su) Qm，最大導(dao)納Gmax等(deng)材(cai)料參數，為(wei)材(cai)料研究測(ce)試提(ti)供(gong)第(di)壹手(shou)原(yuan)始(shi)數(shu)據，提(ti)供(gong)元整(zheng)的數(shu)據圖(tu)，是(shi)高(gao)等(deng)院(yuan)校(xiao)，科研院(yuan)所(suo)及(ji)材(cai)料研究生(sheng)產(chan)的重(zhong)要工(gong)具(ju),同時還(hai)可以(yi)配合(he)高(gao)溫(wen)設(she)備，進(jin)行高(gao)溫(wen)設(she)備測(ce)試。

壹、主(zhu)要特(te)點(dian)：

自動(dong)平(ping)衡技術電橋(qiao)，測(ce)量準確(que)度(du)高(gao)

4端(duan)對(dui)開(kai)爾(er)文測(ce)試端(duan)，測(ce)量範圍(wei)準確(que)度(du)高(gao)

提供(gong)內(nei)部(bu)直(zhi)流偏(pian)壓(ya)-5V～+5V

可選(xuan)配內(nei)部(bu)±40V偏(pian)置(zhi)電壓(ya)源(yuan)

簡體中文、英(ying)文操(cao)作語(yu)言(yan)

分檔(dang)測(ce)量、列(lie)表(biao)掃描(miao)、繪圖(tu)掃(sao)描(miao)、開(kai)路(lu)、短(duan)路(lu)、負載(zai)校(xiao)正等(deng)等(deng)功(gong)能

配備電導(dao)率σ·介(jie)電常(chang)數ε的運(yun)算功(gong)能

進(jin)行測(ce)試數(shu)據、測(ce)試條(tiao)件保存(cun)（U盤或(huo)內(nei)部(bu)）

繪圖(tu)掃(sao)描(miao)圖(tu)像(xiang)直(zhi)接(jie)拷(kao)屏到U盤功(gong)能

加強的測(ce)試端(duan)保護功(gong)能

USB、GPIB、RS232、LAN等(deng)上(shang)位機(ji)連接(jie)接(jie)口

二、主要(yao)技術參數

1、頻率(lv)：20HZ-1MHZ,5MHZ,10MHZ,15MHZ,30MHZ，50MHZ多(duo)種(zhong)可選(xuan)

2、D33測(ce)試範圍(wei)：0-6000PC/N(選(xuan)配ZJ-3型(xing)精(jing)密(mi)壓(ya)電系數測(ce)試儀)

5、基本(ben)精(jing)度(du) ：0.05%

6、測(ce)試電(dian)平(ping): 5mV—2Vrms

7、輸出(chu)阻抗: 10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω

8、測(ce)試參數：D33，電(dian)容(rong)，介電常(chang)數，諧振頻率(lv)Fs，反諧振頻率(lv)Fp，機(ji)電(dian)耦合系數   Keff，機(ji)械(xie)品(pin)質因素(su) Qm，最大導(dao)納Gmax等(deng)

9、通道(dao)數(shu)：1通道(dao)

10、電極： 雙(shuang)面夾(jia)持探針(zhen)

11、軟(ruan)件：自動(dong)計算(suan)並(bing)輸出(chu)數據，軟(ruan)件可根(gen)據實驗方(fang)案設(she)計，通過(guo)測(ce)量C和(he)D值(zhi)，自動(dong)完(wan)成介電(dian)常(chang)數和(he)介電損(sun)耗隨(sui)頻率(lv)、電壓(ya)、偏(pian)壓(ya)多(duo)維(wei)變(bian)化的曲(qu)線。