GDPT-900A型變溫壓(ya)電d33測量系(xi)統(tong)主要介(jie)紹

GDPT-900A型(xing)變(bian)溫壓(ya)電d33測量系(xi)統(tong)是(shi)我院研制的(de)即可低(di)溫(wen)測(ce)試(shi)D33系(xi)數，又可以高(gao)溫測(ce)試(shi)D33系(xi)數。主要是(shi)針(zhen)對(dui)高(gao)低(di)溫(wen)壓(ya)電陶瓷(ci)材料(liao)和薄(bo)膜材料的(de)測試(shi)。

二、主要應(ying)用領域(yu)：無損檢(jian)測超(chao)聲檢(jian)測，醫療(liao)超(chao)聲檢(jian)測，航空航(hang)天，石油(you)天(tian)然器(qi)，汽(qi)車(che)物聯網，，工(gong)業(ye)

GDPT-900A型變(bian)溫壓(ya)電d33測量系(xi)統(tong)主要技(ji)術參數

1、d33測量範圍(wei)：1PC/N-6000PC/N(1.5PC-30000PC)

2、力顯(xian)示：0.01-4N

3、電源：電壓(ya)220V

4、溫度(du)範圍(wei)：溫度(du)-100℃至(zhi)+500℃

5、溫控(kong)精(jing)度(du)：溫(wen)度(du)顯(xian)示精(jing)度(du)0.01℃，溫(wen)度(du)控(kong)制精(jing)度(du)±0.1℃，溫(wen)度(du)漂(piao)移優(you)於(yu)±0.1℃內(nei)，超(chao)調(tiao)≤0.1℃。

6、升溫斜(xie)率：0.00至(zhi)5.00℃/min，典型(xing)值2.00℃/min。

7、間隔(ge)保溫(wen)：0.10至(zhi)50.00℃/點，保溫(wen)5分(fen)鐘即可達到(dao)溫(wen)度(du)穩(wen)定狀態。  

8、樣(yang)品夾具(ju)：夾持(chi)雙面電極樣(yang)品，直徑小於(yu)30mm，厚度(du)小(xiao)於5mm。

9、測(ce)量環(huan)境(jing)：低(di)溫(wen)、高(gao)溫、空氣(qi)等(deng)。

10、電極材(cai)料：耐(nai)高(gao)溫電極。

11、制冷方式(shi)：液(ye)氮控(kong)制系(xi)統(tong)

12、顯(xian)示：液晶顯示

13、采集(ji)方(fang)式(shi)：USB2.0高(gao)速數據(ju)

14、總(zong)重(zhong)量: 15kg左右(you)。

15、軟(ruan)件(jian)：專用軟(ruan)件(jian)自動(dong)測試溫度(du)與壓(ya)電系(xi)數的(de)關系(xi)變(bian)化

GWTF-300高(gao)溫鐵(tie)電材料(liao)測量系(xi)統(tong)

GWTF-300高(gao)溫鐵(tie)電材料(liao)測量系(xi)統(tong)是(shi)壹套(tao)建(jian)立(li)在高(gao)溫高(gao)壓(ya)下(xia)的(de)鐵電測量系(xi)統(tong)，旨(zhi)在針(zhen)對(dui)壹些(xie)特(te)殊的(de)要求材(cai)料(liao)需(xu)要在高(gao)溫下(xia)測量而研發的(de)壹套(tao)鐵(tie)電測量系(xi)統(tong)。該系(xi)統(tong)不(bu)僅僅在溫度(du)上(shang)將(jiang)實現(xian)了高(gao)溫測(ce)試(shi)，而且(qie)在電壓(ya)和頻率(lv)上(shang)進行了提(ti)高(gao)，對(dui)我們的(de)鐵電材料(liao)研究和測試(shi)帶(dai)來更加(jia)重(zhong)要的(de)幫(bang)助，該系(xi)統(tong)可以測(ce)量鐵電材料(liao)的(de)電滯回(hui)線(xian)，飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑(wan)場(chang)Ec、漏(lou)電流(liu)、疲勞、保持(chi)、I-V和開(kai)關特(te)性等(deng)性能的(de)測試(shi)。

GWTF-300高(gao)溫鐵(tie)電材料(liao)測量系(xi)統(tong)技(ji)術指(zhi)標(biao)

1.輸(shu)出信號電壓(ya)：：0-4000/5000/6000/10000多種可定制

2.輸(shu)出信號頻率：0.2到(dao)100Hz（陶(tao)瓷、單(dan)晶），1到(dao)1kHz(薄(bo)膜）

3.電容(rong)範圍(wei)：電流(liu)0到(dao)±6mA（陶(tao)瓷、單(dan)晶），±50mA(薄(bo)膜）連續可調(tiao),精(jing)度(du): ≤1%。

4.電流(liu)範圍(wei): 1nA～10A ,精(jing)度(du): ≤1%。

5、溫度(du)測(ce)量範圍(wei):0-200℃

6. 匹配高(gao)溫電致(zhi)應(ying)變測試模塊(kuai)、夾具(ju)及(ji)自動(dong)采集(ji)軟(ruan)件(jian)。

7.測(ce)試(shi)速度(du)：測(ce)量時(shi)間《5秒(miao)/樣(yang)品•溫度(du)點(dian)

8. 樣品規格(ge)：塊體(ti)材(cai)料(liao)尺寸：直徑2-100mm，厚度(du)0.1-10mm，薄(bo)膜：直徑：1-60mm

9. 數據(ju)采(cai)集(ji)分(fen)析軟(ruan)件(jian)： 能畫出鐵電薄(bo)膜的(de)電滯回(hui)線(xian)，定(ding)量得到(dao)鐵(tie)電薄(bo)膜材料的(de)飽和極化Ps、剩余極化Pr、矯頑(wan)場(chang)Ec、漏(lou)電流(liu)等(deng)參數;可以進行鐵電薄(bo)膜材料的(de)鐵電疲勞性能、鐵(tie)電保持(chi)性能的(de)測試(shi)，電阻(zu)測(ce)量，漏(lou)電流(liu)測量。

10、控制方式(shi)：計(ji)算(suan)機實時(shi)控(kong)制、實時(shi)顯(xian)示、實時(shi)數據(ju)計(ji)算(suan)、分析與存(cun)儲

11、軟(ruan)件(jian)采集(ji)：自(zi)動(dong)采集(ji)軟(ruan)件(jian)，分析可以兼容(rong)其(qi)他(ta)相(xiang)關主流(liu)軟(ruan)件(jian)。

GWJDN-1000型(xing)寬(kuan)頻(pin)高(gao)溫介(jie)電測量系(xi)統(tong)主要技(ji)術參數

         GWJDN-1000型(xing)寬(kuan)頻(pin)高(gao)溫介(jie)電測量系(xi)統(tong)

關鍵(jian)詞：高(gao)溫介(jie)電，，-190℃-1000℃

GWJDN-1000型(xing)高(gao)溫介(jie)電測量系(xi)統(tong)（2019款）高(gao)溫介(jie)電測量系(xi)統(tong)應(ying)用於高(gao)溫環(huan)境(jing)下(xia)材料(liao)、器(qi)件(jian)的(de)導(dao)電、介(jie)電特(te)性測(ce)量與分(fen)析(xi)，通(tong)過(guo)配置(zhi)不同(tong)的(de)測試(shi)設備，完成不同(tong)參數的(de)測試(shi)。是(shi)高(gao)溫介(jie)電測試(shi)系(xi)統(tong)測(ce)試裝置(zhi)，是(shi)國(guo)家(jia)科(ke)研院所和高(gao)等(deng)學府的(de)重要材料(liao)測(ce)試設備。

壹、主要用途(tu)：

1、測量以下(xia)參數隨(sui)溫(wen)度(du)（T）、頻(pin)率(lv)（f）、電平(ping)（V）、偏(pian)壓(ya)（Vi）的(de)變化規律：

2、測(ce)量電容(rong)（C）、電感(gan)（L）、電阻(zu)（R）、電抗（X）、阻(zu)抗（Z）、相(xiang)位(wei)角（￠）、電導(dao)（G）、電納（B）、導(dao)納(na)（Y）、損耗(hao)因(yin)子（D）、品質因(yin)素（Q）等(deng)參數，

3、同(tong)時(shi)計(ji)算(suan)獲得反(fan)應(ying)材料導(dao)電、介(jie)電性能的(de)復介(jie)電常(chang)數（εr）和介(jie)質損耗(hao)（D）參數。

4、可測試(shi)低(di)溫(wen)環(huan)境(jing)下(xia)材料(liao)、器(qi)件(jian)的(de)介(jie)電性能

5、可以根(gen)據用戶需(xu)求，定(ding)制開(kai)發居(ju)裏(li)溫度(du)點(dian)Tc、機電耦(ou)合系(xi)數Kp、機械品質因(yin)素Qm及磁導(dao)率(lv)μ等(deng)參數的(de)測量與分(fen)析(xi)。系(xi)統(tong)集(ji)低(di)溫(wen)環(huan)境(jing)、溫(wen)度(du)控(kong)制、樣品安裝(zhuang)於壹體；具(ju)有(you)體積小(xiao)、操作簡(jian)單(dan)控(kong)溫(wen)精(jing)度(du)高(gao)等(deng)特(te)點。

二(er)、主要技(ji)術參數：

主要技(ji)術參數：

1、溫(wen)度(du)範圍(wei)： 室溫-1000℃

2、測(ce)溫(wen)精(jing)度(du)：   0.1℃

3．升溫速度(du)：   1—20℃/min

4、控(kong)溫(wen)模(mo)式(shi)： 程序控制，提供常(chang)溫、變溫、恒溫(wen)、升(sheng)溫、降溫等(deng)多種組(zu)合(he)方式(shi)

5、通(tong)訊(xun)接口：   RS-485

8、電極材(cai)質： 鉑(bo)銥合(he)金(jin)

9、上(shang)電極： 直徑1.6mm球(qiu)頭(tou)電極，引(yin)線(xian)帶(dai)同(tong)軸屏(ping)蔽層

10、下(xia)電極：直徑26.8mm平(ping)面電極，引(yin)線(xian)帶(dai)同(tong)軸屏(ping)蔽層

11、保護(hu)電極：  帶(dai)保護(hu)電極，消(xiao)除(chu)寄生(sheng)電容(rong)、邊界電容(rong)對(dui)測試的(de)影響

12、電極幹(gan)擾屏(ping)蔽:電極引(yin)線(xian)帶(dai)同(tong)軸屏(ping)蔽，樣品平(ping)臺(tai)帶(dai)屏(ping)蔽罩

13、夾具升(sheng)降控制： 帶(dai)程序和手動(dong)控制，可更換(huan)夾(jia)具(ju)的(de)電動(dong)升降裝置(zhi)

14、熱(re)電偶 ：熱(re)電偶探(tan)頭(tou)與樣(yang)品平(ping)臺(tai)為同(tong)壹熱(re)沈，測(ce)控溫(wen)度(du)與樣(yang)品溫度(du)保持(chi)壹致(zhi)

15、無電極樣(yang)品尺寸：直徑小於(yu)40mm，厚度(du)小(xiao)於8mm

16、帶(dai)電極樣(yang)品尺寸： 直徑小於(yu)26mm，厚度(du)小(xiao)於8mm

17、軟(ruan)件(jian)功能：自(zi)動(dong)分析數據(ju)，可以分(fen)類(lei)保存(cun)，樣(yang)品和測量方案(an)結合(he)在壹起，生(sheng)成系(xi)統(tong)所(suo)需(xu)的(de)實驗(yan)方案(an)，輸(shu)出TXT、XLS、BMP等(deng)格式(shi)文(wen)件(jian)

18、測(ce)量方案(an)：    提供(gong)靈活、豐富(fu)的(de)測試(shi)設置(zhi)功能，包括(kuo)頻(pin)率譜(pu)、阻(zu)抗譜(pu)、介(jie)電譜(pu)及(ji)其(qi)組(zu)合

19、標(biao)準極化樣品：8片(pian)（10mm*1.5mm）

20、配套(tao)設(she)備裝(zhuang)置(zhi)：能夠(gou)配合ZJ-3和ZJ-6壓(ya)電測試(shi)儀(yi)進行測量

21、配套(tao)設(she)備裝(zhuang)置(zhi)：可以配置(zhi)10MM，20MM，30MM，40MM壓(ya)片(pian)夾(jia)具(ju)

23、測試頻率(lv)：20HZ-10MHZ

24、測試電平(ping):100mV—2V

25、分辨率：1MHZ

26、輸(shu)出阻(zu)抗:  100Ω

27、測(ce)試(shi)參數：Cp/Cs、Lp/Ls、Rp/Rs、|Z|、|Y|、R、X、G、B、θ、D、Q、Vac、Iac、Rdc、Vdc、Idc

28、基本(ben)準確度(du):   0.05%

29、顯(xian)示:液(ye)晶顯示

30、參數測(ce)量：多功能圖(tu)形(xing)和參數測(ce)量

31、接口方式(shi):   RS232C或HANDLER

HTIM-600C型(xing)材(cai)料高(gao)溫電阻(zu)率(lv)測試儀(yi)主要技(ji)術參數

HTIM-600C型材料(liao)高(gao)溫電阻(zu)率(lv)測試儀(yi)

關鍵(jian)詞：電阻(zu)率(lv)，體電阻(zu)，表面電阻(zu)，CNAS

HTIM-600高(gao)溫電阻(zu)率(lv)測試儀(yi)是(shi)壹款針(zhen)對(dui)於材料的(de)測量設備，可以出具CNAS整(zheng)體(ti)認證(zheng)的(de)專業(ye)材(cai)料(liao)高(gao)溫測(ce)量設備，該儀(yi)器(qi)采(cai)用使(shi)用(yong)方法(fa)多樣化，2000V，6.4ms的(de)采集(ji)系(xi)統(tong)，實現(xian)了是(shi)以往(wang)產品300倍的(de)抗幹(gan)擾功能6.4ms的(de)高(gao)速測(ce)量，作為(wei)皮(pi)安表使(shi)用(yong)進行低(di)電容(rong)檢(jian)查(zha)，2×10^19 Ω顯(xian)示，0.1fA分辨(bian)率(lv)標(biao)配EXT I/O, RS-232C, GP-IB, USB，自行設計(ji)的(de)懸浮(fu)式(shi)電路，能不(bu)受(shou)測量環(huan)境(jing)影響進行穩定(ding)測(ce)量，並且(qie)運(yun)用(yong)在產線(xian)中實現(xian)高(gao)速測(ce)量。可實現(xian)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料在高(gao)溫下(xia)電阻(zu)和電阻(zu)率(lv)試驗(yan)方法(fa)標(biao)準設計(ji)開(kai)發，可以直接測量高(gao)溫、真(zhen)空、氣(qi)氛條件(jian)下(xia)樣品的(de)電阻(zu)和體電阻(zu)率(lv)、漏(lou)電流(liu)等(deng)隨溫(wen)度(du)、時(shi)間變(bian)化的(de)曲線(xian)，高(gao)溫絕(jue)緣(yuan)材(cai)料電阻(zu)率(lv)測試儀(yi)系(xi)統(tong)已(yi)經(jing)在航天航空傳(chuan)感(gan)器(qi)領(ling)域(yu)得到(dao)很(hen)好(hao)的(de)應(ying)用。

壹、主要用途(tu)：適(shi)用於(yu)新(xin)材料評(ping)估(gu)的(de)特(te)性:

1、用於陶(tao)瓷(ci)元件(jian)的(de)絶(絶)縁(縁)劣(lie)化試驗(yan)

2、貼(tie)片(pian)電容(rong)的(de)IR測量

3、MLCC（多層陶瓷(ci)電容(rong)器(qi)）的(de)絕緣(yuan)測量

4、光伏(fu)電池(chi)薄(bo)膜的(de)絕緣(yuan)測量

5、噪音濾(lv)波(bo)器(qi)的(de)絕緣(yuan)（高(gao)阻(zu)）測(ce)量

6、液晶設備的(de)絕緣(yuan)測量

7、塗層（塗料(liao)）的(de)表面電阻(zu)率(lv)測量

8、外殼(ke)的(de)帶(dai)電度(du)的(de)測量

9、二極(ji)管的(de)微笑泄漏(lou)電流(liu)測量

10、光電耦(ou)合器(qi)的(de)初級(ji)/次(ci)級(ji)絕(jue)緣(yuan)（高(gao)電阻(zu)）測(ce)量

11、打印(yin)機墨(mo)粉輥軸的(de)絕緣(yuan)測量

12、用於(yu)針(zhen)對(dui)半(ban)導(dao)體(ti)廠家的(de)絕緣(yuan)密(mi)封件(jian)的(de)評(ping)估(gu)試驗(yan)

13、用於組(zu)裝在貼(tie)片(pian)機、分(fen)選機、自(zi)動(dong)化設備中

壹、產品特(te)點：

1、多種使(shi)用(yong)方法(fa)的(de)超(chao)絕緣(yuan)計,提(ti)供CNAS計量合格(ge)證(zheng)書

2、能夠(gou)作為(wei)IR表、靜電計等(deng)高(gao)電阻(zu)計(ji)，以及作(zuo)為皮(pi)安表這種(zhong)微小(xiao)電流(liu)計來使(shi)用(yong)，使(shi)用(yong)方法(fa)非(fei)常(chang)豐富(fu)的(de)測量儀(yi)器(qi)。

2、能不(bu)受(shou)測量環(huan)境(jing)影響進行穩定(ding)測(ce)量，並且(qie)運(yun)用(yong)在產線(xian)中實現(xian)高(gao)速測(ce)量2000V輸(shu)出

3、偏(pian)差(cha)1/60，抗噪音性(xing)能300倍, 通(tong)過(guo)全新(xin)的(de)SM懸浮(fu)式(shi)電路和三軸連(lian)接器(qi)的(de)組合(he)，大幅(fu)提(ti)高(gao)抗噪音性(xing)能。

4、輸(shu)出電壓(ya)從0.1V到(dao)1000V，能夠(gou)以0.1V為(wei)單(dan)位(wei)任(ren)意設置(zhi)

5、6.4ms的(de)高(gao)速檢(jian)查(zha), 高(gao)速檢(jian)查(zha)和50mA的(de)預充(chong)電功能的(de)組合(he)可以實現(xian)高(gao)產量的(de)MLCC檢(jian)查(zha)。

5、高(gao)溫爐膛(tang)，耐(nai)高(gao)溫、抗氧化的(de)測試(shi)夾具,提供CNAS計量合格(ge)證(zheng)書

二(er)、主要技(ji)術參數：

1、體積電阻(zu)率(lv)和表面電阻(zu)率(lv)測試範圍(wei)10的(de)4次方(fang)Ω.cm~10的(de)15次方(fang)Ω.cm；

2、測試(shi)電壓(ya)：10V、50V、100V、250V、500V、1000V

3、電極材(cai)質：600℃不(bu)氧(yang)化，三電極尺寸為25mm（被保護(hu)電極直徑）、38mm（保護(hu)電極內(nei)徑）、50mm（保護(hu)電極外(wai)徑），樣品厚度(du)在3mm以內(nei)；

3、測量精(jing)度(du)：①電阻(zu)≤1010Ω時(shi)，精(jing)度(du)±5％；電阻(zu)>1010Ω時(shi)，精(jing)度(du)±10%；②電壓(ya)＜100V時(shi)，精(jing)度(du)±5%，電壓(ya)≥100V時(shi)，精(jing)度(du)±2％；

2、溫度(du)範圍(wei);室溫~600℃；

3、控(kong)溫(wen)精(jing)度(du)：溫(wen)度(du)≤300℃，精(jing)度(du)±1℃，溫(wen)度(du)＞300℃，精(jing)度(du)±2℃；控(kong)溫設(she)備需(xu)有測(ce)溫(wen)口；（能夠(gou)通(tong)過(guo)計(ji)量CNAS認證(zheng)）

4、測試(shi)軟(ruan)件(jian)：①可設置(zhi)連續升(sheng)溫測(ce)試(shi)，得到(dao)不(bu)同溫度(du)下(xia)體積(ji)電阻(zu)率(lv)、表面電阻(zu)率(lv)具體值，直接得到(dao)體(ti)積電阻(zu)率(lv)-溫度(du)曲線(xian)、表面電阻(zu)率(lv)-溫度(du)曲線(xian)；

5、溫(wen)度(du)精(jing)度(du)：可設置(zhi)在某(mou)壹具體(ti)溫(wen)度(du)點(dian)測試(shi)，得到(dao)體(ti)積電阻(zu)率(lv)、表面電阻(zu)率(lv)在不同時(shi)間點(dian)的(de)具體(ti)值，直接得到(dao)體(ti)積電阻(zu)率(lv)-時(shi)間曲線(xian)、表面電阻(zu)率(lv)-時(shi)間曲線(xian)；

5、電腦(nao)要求：windows10 系(xi)統(tong)，內(nei)存(cun)16G以(yi)上(shang)，CPU四核；

6、升溫(wen)速率(lv)0℃/min~ 10℃/min（不(bu)做計量要求）；

7、能通(tong)氮氣(qi)，測試(shi)時(shi)在高(gao)溫和氮氣(qi)環(huan)境(jing)下(xia)測試(shi)；

9、符(fu)合(he)GB/T31838、GB/T10581、GB/T1410標(biao)準；

10、排氣口有過(guo)濾(lv)裝(zhuang)置(zhi)；

HTRT-1000型(xing)導(dao)電材料(liao)高(gao)溫電阻(zu)率(lv)測試儀(yi)技(ji)術參數

HTRT-1000型(xing)導(dao)電材料(liao)高(gao)溫電阻(zu)率(lv)測試儀(yi)

關鍵(jian)詞：電阻(zu)率(lv)，導(dao)電，合金(jin)高(gao)溫

電阻(zu)率(lv)表征技(ji)術是(shi)典型(xing)的(de)金(jin)屬、合(he)金(jin)相(xiang)變(bian)行為研究手段，比如(ru)在先進鋼(gang)中的(de)碳運動(dong)行為分(fen)析(xi)、或是(shi)合金(jin)析出動(dong)力學研究、以(yi)及形(xing)狀記憶(yi)合金(jin)的(de)預相(xiang)變(bian)行為表征的(de)方面。電阻(zu)率(lv)對(dui)這些(xie)相(xiang)變(bian)行為則非(fei)常(chang)敏感(gan)，應(ying)用電阻(zu)率(lv)手段研究合(he)金(jin)析出動(dong)力學行為也是(shi)非(fei)常(chang)重要的(de)手段，是(shi)壹種可以對(dui)合金(jin)時(shi)效(xiao)析(xi)出過(guo)程全時(shi)段(duan)實現(xian)監(jian)控的(de)手段。同時(shi)，通(tong)過(guo)電阻(zu)率(lv)的(de)演化規律，可以清(qing)晰的(de)判斷(duan)GP區(qu)、析出孕育時(shi)間、析(xi)出結束（析出量大）和熟化過(guo)程等(deng)不同(tong)的(de)階段。對(dui)於所有析(xi)出強(qiang)化合金(jin)，電阻(zu)率(lv)數據(ju)都可以提(ti)供重要的(de)工藝(yi)指導(dao)。此外，預相(xiang)變(bian)過(guo)程中出現(xian)納米(mi)疇(chou)並(bing)導(dao)致(zhi)模(mo)量軟(ruan)化和弛豫內(nei)耗行為，特(te)別是(shi)在相(xiang)變(bian)初(chu)期，用(yong)電鏡觀(guan)察很(hen)難(nan)實現(xian)，而納米(mi)疇(chou)的(de)出現(xian)卻(que)表現(xian)為電阻(zu)率(lv)的(de)升高(gao)，因此通(tong)過(guo)電阻(zu)率(lv)演化可以清(qing)晰的(de)表征納(na)米(mi)疇(chou)出現(xian)的(de)溫度(du)和疇面積的(de)演化過(guo)程。

HTRT-1000本(ben)系(xi)統(tong)主要由高(gao)精(jing)度(du)高(gao)穩定(ding)度(du)的(de)小電流(liu)源、高(gao)精(jing)度(du)AD采(cai)樣(yang)芯片(pian)以(yi)及(ji)嵌(qian)入(ru)式(shi)芯片(pian)，上(shang)位(wei)機智(zhi)能管(guan)理(li)分(fen)析(xi)軟(ruan)件(jian)、真(zhen)空多段溫(wen)控(kong)加熱(re)設備組(zu)成的(de)金(jin)屬電阻(zu)率(lv)智能存(cun)儲分(fen)析儀(yi)器(qi)。測(ce)試金(jin)屬樣(yang)品根據(ju)測試(shi)工(gong)藝(yi)要求任(ren)意設定(ding)加(jia)熱(re)、降溫曲線(xian)，通(tong)過(guo)過(guo)程中電阻(zu)率(lv)的(de)精(jing)密(mi)測(ce)量，完成對(dui)金(jin)屬內(nei)部結(jie)構(gou)變(bian)化如相(xiang)變(bian)、碳化物、固(gu)溶(rong)度(du)等(deng)特(te)性的(de)分析(xi)。

壹、用途(tu)：

1、棒(bang)材、管(guan)材、異(yi)型材金(jin)屬導(dao)電性能測(ce)量

2、金(jin)屬材(cai)料(liao)研究

3、碳系(xi)導(dao)電材料(liao)的(de)電阻(zu)率(lv)和電導(dao)率(lv)測量

4、金(jin)屬氧(yang)化物系(xi)導(dao)電材料(liao)的(de)電阻(zu)率(lv)和電導(dao)率(lv)測量

5、石墨(mo)烯金(jin)屬材(cai)料(liao)的(de)導(dao)電性能測(ce)試(shi)

二、器(qi)成套(tao)組(zu)成： 

1.溫(wen)度(du)控(kong)制箱：任意設定(ding)多段加(jia)熱(re)、保溫(wen)曲線(xian)，加(jia)熱(re)範圍(wei):室溫至1000℃。控(kong)溫(wen)精(jing)度(du)±1oC。

2.真(zhen)空加(jia)熱(re)爐管(guan)：采(cai)用石(shi)英真(zhen)空管(guan)實現(xian)真(zhen)空密(mi)閉狀態，達(da)到(dao)6*10-2Pa。

3.控制信號盒：高(gao)精(jing)度(du)的(de)恒流(liu)源200uA-10mA,通(tong)過(guo)計(ji)算(suan)機通(tong)信控制實現(xian)連續可調(tiao)（或定制），測量到(dao)1uΩ。

4.計算(suan)機：通(tong)信控制溫控儀(yi)加(jia)熱(re)曲線(xian)，實時(shi)接收當前溫度(du)值並存(cun)儲顯(xian)示。結合(he)溫(wen)度(du)值顯示電阻(zu)率(lv)-溫(wen)度(du)曲線(xian)。同(tong)時(shi)存(cun)儲過(guo)程的(de)測試(shi)條件(jian)信息，測(ce)試過(guo)程的(de)數據(ju)。完成數據(ju)庫(ku)的(de)基本(ben)管理(li)、查(zha)詢、打印(yin)等(deng)功能。

5.   低(di)溫(wen)裝(zhuang)置(zhi)：低(di)溫(wen)實驗(yan)可延伸(shen)-150℃，完成高(gao)低(di)溫(wen)實驗(yan)功能。

6.   app遠(yuan)程監(jian)控：手機app完成對(dui)實驗(yan)設備主要參數的(de)監(jian)控，不必(bi)守在爐子旁(pang)邊(bian)也能了(le)解(jie)實驗(yan)目前的(de)狀態。 

7.適(shi)用於(yu)科(ke)研單(dan)位(wei)、高(gao)等(deng)院校對(dui)金(jin)屬材(cai)料(liao)的(de)導(dao)電性能、微(wei)結(jie)構變(bian)化、相(xiang)變(bian)信息等(deng)測試(shi)。

三、基本(ben)技(ji)術參數

1、控(kong)溫(wen)範圍(wei)；-150 ℃-1000 ℃，精(jing)度(du)：-150 ℃-1000 ℃，精(jing)度(du)±1 ℃

2、測(ce)量範圍(wei)：電  阻(zu)：1×10-6～1×10-1 Ω   ， 分辨(bian)率：1×10-7Ω

電阻(zu)率(lv)：1×10-7～1×10-2 Ω-mm， 分(fen)辨率：1×10-8

3、 材料(liao)尺寸：200mm*5mm*1mm,500mm*5mm*1mm,1000mm*5mm*1mm

4、 四線(xian)探(tan)針(zhen)；0.5 mm-0.7mm   

5、夾具：針(zhen)對(dui)不同的(de)樣品可以設(she)計不同的(de)夾具(ju)

6、外形(xing)尺寸：主   機  1300mm（長(chang)）×800 mm（寬(kuan)）×500mm（高(gao)）

7、凈(jing)   重：≤60kg

BKTEM-T1型(xing)熱(re)電賽貝系(xi)數測(ce)試(shi)儀(yi)

BKTEM-T1型(xing)熱(re)電賽貝系(xi)數測(ce)試(shi)儀(yi)以測定(ding)半(ban)導(dao)體(ti)材料、金(jin)屬材(cai)料(liao)及(ji)其(qi)他(ta)熱(re)電材料(liao)(Bi2Te3, PbTe, Skutterudites等(deng))的(de)Seebeck系(xi)數及(ji)電導(dao)率(lv).

應(ying)用範圍(wei)：1、精(jing)確地測(ce)定半(ban)導(dao)體(ti)材料、金(jin)屬材(cai)料(liao)及(ji)其(qi)他(ta)熱(re)電(Bi2Te3,PbTe,Skutterudites康(kang)銅(tong)、鎳、鎢(wu)等(deng)金(jin)屬，Te、Bi2Te3、ZrNiSn、ZnAgSb、NiMoSb、SnTe、FeNbSb、CuGaTe2、GeTe、Ag1-xCuS、Cu2ZnSnSe4等(deng))的(de)Seebeck系(xi)數及(ji)電導(dao)率(lv)、電阻(zu)率(lv)。

3、塊體和薄(bo)膜材料測(ce)均可以測(ce)試。

4、試樣與引(yin)線(xian)的(de)接觸是(shi)否正(zheng)常(chang)V-1裝置(zhi)可以自(zi)動(dong)檢(jian)出。

5、擁有自分析軟(ruan)件(jian)，獨立(li)分析(xi)，過(guo)程自動(dong)控制，界面友好(hao)。

6、國(guo)內(nei)高(gao)等(deng)院校材(cai)料(liao)系(xi)研究或是(shi)熱(re)電材料(liao)生產單(dan)位(wei)。

7、汽(qi)車(che)和燃油(you)、能源利(li)用(yong)效率、替(ti)代能源領域(yu)、熱(re)電制冷.
  8、很多其(qi)他(ta)工(gong)業(ye)和研究領(ling)域(yu)-每年(nian)都會(hui)誕(dan)生(sheng)新的(de)應(ying)用領域(yu)

技(ji)術指(zhi)標(biao)要求

測量溫度(du)：   室溫-600℃

同(tong)時(shi)測(ce)試(shi)樣(yang)品數量：  1個(ge)

測量功能：   材(cai)料(liao)賽貝克系(xi)數和電阻(zu)率(lv)Seebeck系(xi)數及(ji)電導(dao)率(lv)

控溫(wen)精(jing)度(du)：   0.5K

測(ce)量原(yuan)理(li)：   塞(sai)貝克系(xi)數：靜態直流(liu)電；電阻(zu)系(xi)數：四端法(fa)

測(ce)量精(jing)度(du)：   塞(sai)貝克系(xi)數：＜±7％；電阻(zu)系(xi)數：＜±10％

樣(yang)品尺寸; 塊體方(fang)條形(xing)：2-3×2-3 mm×10-23mm長，薄(bo)膜材料：≥50 nm

熱(re)電偶導(dao)距(ju):  ≥6 mm

電   流(liu)； 0 to 160 mA

加(jia)熱(re)電極相(xiang)數/電壓(ya)：        單(dan)相(xiang)，220V，