視頻：精(jing)科智(zhi)創(chuang)TDZT-04C型鐵(tie)電(dian)測(ce)試儀近(jin)代(dai)物理(li)學科設(she)備

精科智(zhi)創(chuang)TDZT-04C型鐵(tie)電(dian)測(ce)試儀近(jin)代(dai)物理(li)學科設(she)備

    精(jing)科智(zhi)創(chuang)TDZT-04C型鐵(tie)電(dian)測(ce)試儀近(jin)代(dai)物理(li)學科設(she)備之壹(yi)，關(guan)於(yu)壓電(dian)材料(liao)，鐵電(dian)材料(liao)的功能(neng)更(geng)加豐(feng)富(fu)，體(ti)現出來不同類型的參(can)數，也(ye)是物理(li)教(jiao)學的(de)重要設備之壹(yi)。

TDZT-04C 型(xing)鐵(tie)電(dian)性(xing)能(neng)綜合(he)測試系(xi)統(tong)是(shi)最(zui)新壹代(dai)鐵(tie)電(dian)材料(liao)參數(shu)測試儀適用(yong)於(yu)鐵(tie)電(dian)薄(bo)膜(mo)、鐵(tie)電(dian)體(ti)材料(liao)（既可塊(kuai)體(ti)材料(liao)）的電(dian)性(xing)能(neng)測(ce)量(liang)，可測(ce)量(liang)鐵電(dian)薄(bo)膜(mo)電(dian)滯(zhi)回線(xian)、I—V特(te)性及開(kai)關(guan)特(te)性，可精(jing)確地測出具有非(fei)對(dui)稱電(dian)滯(zhi)回線(xian)鐵(tie)電(dian)薄(bo)膜(mo)的(de)Pr值。可測(ce)鐵(tie)電(dian)體(ti)材料(liao)的電(dian)滯(zhi)回線(xian)及I—V特(te)性。

主要技術指(zhi)標：
1.輸(shu)出信(xin)號電(dian)壓：：薄(bo)膜：0～±10V 陶(tao)瓷、材料(liao)：0～±2000V
2.輸(shu)出信(xin)號頻(pin)率：薄(bo)膜材料(liao)1-1000HZ，陶(tao)瓷：0-1Hz
3.電(dian)容(rong)範(fan)圍(wei)：1000nf～ 100nf, 精(jing)度: ≤1%。
4.電(dian)流(liu)範(fan)圍(wei): 1nA～10A ,精(jing)度(du): ≤1%。

5、測(ce)試樣品(pin)：0-20mm 5個

6、高(gao)壓樣(yang)品(pin)池：2個(ge)，壹(yi)個(ge)封閉式(shi)：8CM*6CM 壹個(ge)開(kai)放(fang)式(shi)：8CM*5CM

7、三維移動薄(bo)膜測(ce)試平臺(tai)：直(zhi)立(li)式(shi)探針(zhen)壹(yi)套，角度式(shi)探針(zhen)壹(yi)套

8、電(dian)流(liu)：1-10倍(bei)放(fang)大(da)，信(xin)號：1-20倍(bei)。.數(shu)據結(jie)口：USB或(huo)BNC接(jie)口(kou)。

9. 數(shu)據采集分析軟(ruan)件： 能(neng)畫出(chu)鐵電(dian)薄(bo)膜(mo)的(de)電(dian)滯(zhi)回線(xian)，定(ding)量(liang)得(de)到(dao)鐵電(dian)薄(bo)膜(mo)材料(liao)的飽(bao)和(he)極(ji)化Ps、剩(sheng)余極化Pr、矯(jiao)頑(wan)場(chang)Ec、漏電(dian)流(liu)等(deng)參(can)數(shu);可以(yi)進行(xing)鐵電(dian)薄(bo)膜(mo)材料(liao)的鐵(tie)電(dian)疲(pi)勞(lao)性能、鐵(tie)電(dian)保持(chi)性(xing)能(neng)的(de)測試，電(dian)阻(zu)測量(liang)，漏電(dian)流(liu)測(ce)量(liang)。

10.可以(yi)配合(he)ZJ-3和(he)ZJ-6型(xing)壓電(dian)測(ce)試儀操(cao)作(zuo)系(xi)統(tong)