簡(jian)晰(xi)PVDF薄膜(mo)材(cai)料(liao)與(yu)ZJ-3型(xing)壓(ya)電(dian)測(ce)試儀(yi)之(zhi)間(jian)的(de)測量(liang)關系(xi)

簡晰(xi)PVDF薄膜(mo)材(cai)料(liao)與(yu)ZJ-3型(xing)壓(ya)電(dian)測(ce)試儀(yi)之(zhi)間(jian)的(de)測量(liang)關系(xi)

PVDF膜(mo)原(yuan)理:

PVDF膜即聚(ju)偏二氟(fu)乙(yi)烯(xi)膜（polyvinylidene fluoride）是蛋白(bai)質(zhi)印跡(ji)法中(zhong)常用(yong)的(de)壹種固相支(zhi)持物。PVDF膜是疏水(shui)性(xing)的(de)，膜孔(kong)徑(jing)有大有小(xiao)，隨(sui)著(zhe)膜孔(kong)徑(jing)的(de)不(bu)斷減小(xiao)，膜(mo)對低分子(zi)量的(de)蛋白(bai)結(jie)合就(jiu)越牢固

PVDF膜

PVDF膜(mo)即聚(ju)偏二氟(fu)乙(yi)烯(xi)膜（polyvinylidene fluoride）是蛋白(bai)質(zhi)印跡(ji)法中(zhong)常用(yong)的(de)壹種固相支(zhi)持物。PVDF膜是疏水(shui)性(xing)的(de)，膜孔(kong)徑(jing)有大有小(xiao)，隨(sui)著(zhe)膜孔(kong)徑(jing)的(de)不(bu)斷減小(xiao)，膜(mo)對低分子(zi)量的(de)蛋白(bai)結(jie)合就(jiu)越牢固。大於20000的(de)蛋白(bai)選用(yong)0.45um的(de)膜，小(xiao)於20000的(de)蛋白(bai)選用(yong)0.2um的(de)膜。PVDF膜(mo)在(zai)使(shi)用(yong)時(shi)需預處理(li)，用甲(jia)醇處理(li)的(de)目的(de)是活(huo)化膜(mo)上(shang)的(de)正電(dian)基團(tuan)，使其(qi)更容(rong)易與(yu)帶負電(dian)的(de)蛋白(bai)結(jie)合。PVDF膜(mo)具(ju)有較高的(de)機械(xie)強度(du)，是印跡(ji)法中(zhong)的(de)理想(xiang)固相支(zhi)持物材(cai)料(liao)。

分類

1、水(shui)處(chu)理(li)用(yong)PVDF膜，分為超(chao)濾膜和微濾膜兩(liang)種(zhong)，主(zhu)要(yao)用(yong)於汙(wu)水(shui)、海(hai)水(shui)淡(dan)化等(deng)的(de)前處(chu)理(li)，清除大(da)分子(zi)、細菌(jun)、泥(ni)沙(sha)等(deng)雜(za)質

2、戶(hu)外建築用PVDF膜(mo)，主(zhu)要(yao)用(yong)戶(hu)戶(hu)外建築的(de)玻璃(li)、外墻(qiang)、戶(hu)外廣告牌(pai)等(deng)的(de)保護，主(zhu)要(yao)是耐老化和(he)耐磨(mo)功(gong)能

3、電(dian)池用(yong)PVDF膜(mo)，包括在(zai)燃(ran)料電(dian)池和(he)鋰離(li)子(zi)聚合物(wu)電(dian)池中(zhong)的(de)隔膜(mo)應用(yong)

PVDF的(de)主(zhu)要(yao)性(xing)能(neng)

優點(dian)

· 機械(xie)強度(du)與(yu)堅韌度高(gao)

· 防黴(mei)菌(jun)性(xing)

· 高(gao)耐磨(mo)性(xing)

· 對氣(qi)體和液(ye)體的(de)高耐滲透性(xing)

· 耐熱穩(wen)定性(xing)好(hao)

· 阻(zu)燃(ran)，低煙(yan)

· 溫(wen)度(du)提升(sheng)過程中抗(kang)蠕變性(xing)好(hao)

· 純(chun)度高(gao)

· 容(rong)易(yi)進(jin)行(xing)熔體加工

· 耐對大多數化學(xue)品(pin)與(yu)溶劑(ji)

· 兼有剛性(xing)的(de)和柔(rou)韌的(de)形態(tai)

· 抗(kang)紫(zi)外線和(he)核(he)輻(fu)射(she)性(xing)

· 抗(kang)沖(chong)擊(ji)性(xing)能(neng)

· 耐候性(xing)

· 耐低溫(wen)達(da)-40℃

目前我們國(guo)家(jia)對材(cai)料(liao)測試越來越重視(shi)，很多單(dan)位及(ji)科(ke)研院校對產品(pin)甄別出現(xian)很大問題，但(dan)是真(zhen)正測(ce)試(shi)材(cai)料(liao)需要(yao)選擇(ze)壹款可(ke)靠(kao)的(de)測試(shi)產品(pin)，這(zhe)樣對自己(ji)的(de)測試(shi)成果及(ji)研究(jiu)會帶(dai)來很大的(de)作用(yong),對我們的(de)生(sheng)產(chan)帶來極大的(de)指導(dao)性(xing)作(zuo)用(yong)。

ZJ-3型(xing)壓(ya)電(dian)測(ce)試儀(yi)（靜壓(ya)電(dian)系(xi)數d33測量(liang)儀(yi)）
關(guan)鍵詞:壓電,陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao),高分子(zi),d33/d15

壹、產品(pin)介(jie)紹(shao)：

ZJ-3型(xing)壓(ya)電(dian)測(ce)試儀(yi)（靜壓(ya)電(dian)系(xi)數d33測量(liang)儀(yi)）是為測量(liang)壓電(dian)材(cai)料(liao)的(de)d33常數而(er)設(she)計(ji)的(de)儀(yi)器，它(ta)可(ke)用(yong)來測(ce)量具有大壓電常(chang)數的(de)壓電(dian)陶(tao)瓷(ci)，小(xiao)壓(ya)電(dian)常(chang)數的(de)壓電(dian)單(dan)晶及(ji)壓電高分子(zi)材(cai)料(liao)。此外，也可(ke)測(ce)量任(ren)意(yi)取向壓電單(dan)晶以(yi)及(ji)某些壓電器件的(de)等(deng)效壓(ya)電(dian)d’33常(chang)數，儀(yi)器測量(liang)範(fan)圍寬(kuan)，分辨率細，可(ke)靠(kao)性(xing)高(gao)，操(cao)作簡單(dan)，對試樣大小(xiao)及(ji)形狀無(wu)特(te)殊(shu)要(yao)求(qiu)，圓(yuan)片(pian)、圓(yuan)環(huan)、圓(yuan)管(guan)、方(fang)塊(kuai)、長(chang)條、柱(zhu)形(xing)及(ji)半球殼等(deng)均(jun)可(ke)測(ce)量，測(ce)量結果和極性(xing)在(zai)三(san)位半(ban)數字(zi)面(mian)板(ban)表(biao)上(shang)直(zhi)接(jie)顯示(shi)。ZJ-3型(xing)壓(ya)電(dian)測(ce)試儀(yi)（靜壓(ya)電(dian)系(xi)數d33測量(liang)儀(yi)）在(zai)原(yuan)ZJ-2型(xing)壓(ya)電(dian)測(ce)試儀(yi)的(de)基礎(chu)上(shang)增(zeng)加(jia)了對被測元(yuan)件的(de)放電保護、放電提(ti)示以(yi)及(ji)被測波形輸出等(deng)功(gong)能，使(shi)得(de)儀(yi)器在(zai)測(ce)量(liang)未放電（尤(you)其(qi)是較大尺(chi)寸(cun)）的(de)壓電(dian)元(yuan)件時(shi)具備(bei)了高(gao)電(dian)壓(ya)放電提(ti)示及(ji)保護功(gong)能，本(ben)儀(yi)器是從事壓(ya)電材(cai)料(liao)及(ji)壓電元(yuan)件生(sheng)產(chan)、應用(yong)與(yu)研究(jiu)部(bu)門(men)的(de)*儀(yi)器。

二、參(can)考標(biao)準:
GB3389.4-82《壓電(dian)陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)性(xing)能(neng)測(ce)試方法 縱向壓電應變常(chang)數d33的(de)靜態(tai)測(ce)試》

GB/T3389.5-1995《壓電陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)性(xing)能(neng)測(ce)試方法 圓(yuan)片厚(hou)度伸(shen)縮振(zhen)動模式(shi)》

GB000?Tj1.1/T3389.4-1982《壓電陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)性(xing)能(neng)測(ce)試方法 柱(zhu)體縱向長(chang)度伸(shen)縮(suo)振(zhen)動模式(shi)》

GB/T 3389.7-1986《壓電陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)性(xing)能(neng)測(ce)試方法 強場(chang)介(jie)電(dian)性(xing)能(neng)的(de)測試(shi)》

GB/T3389.8-1986《壓電陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)性(xing)能(neng)測(ce)試方法 熱釋(shi)電系(xi)數的(de)測試(shi)

三(san)、產品(pin)主(zhu)要(yao)功(gong)能：

﹡測量壓電(dian)材(cai)料(liao)的(de)d33常數

﹡測量具有大壓電常(chang)數的(de)壓電(dian)陶(tao)瓷(ci)

﹡測量小(xiao)壓(ya)電(dian)常(chang)數的(de)壓電(dian)單(dan)晶及(ji)壓電高分子(zi)材(cai)料(liao)

﹡測量任(ren)意(yi)取向壓電單(dan)晶以(yi)及(ji)某些壓電器件的(de)等(deng)效壓(ya)電(dian)d’33常(chang)數

四、主(zhu)要(yao)技(ji)術指標(biao)

d33測量範(fan)圍：

★ ×1擋：10到2000pC/N，20 至4000pC/N，可(ke)以(yi)升(sheng)級到10000PC/N.
★×0.1擋： 1到(dao)200pC/N，2 至400pC/N。

★可(ke)以(yi)配套(tao)PZT-JH10/4/8/12型(xing)壓(ya)電(dian)極化裝(zhuang)置使(shi)用(yong)

★可(ke)以(yi)配套(tao)ZJ-D33-YP15壓電壓片(pian)機使用(yong)
誤差：×1擋(dang)：±2%±1個(ge)數字(zi)，當d33在(zai)100到(dao)4000pC/N；
±5%±1個(ge)數字(zi)，當d33在(zai)10到(dao)200pC/N；
×0.1擋(dang)：±2%±1個(ge)數字(zi)，(當d33在(zai)10到(dao)200pC/N)
±5%±1個(ge)數字(zi)，當d33在(zai)10到(dao)20pC/N。
分辨率：   ×1擋：1 pC/N；×0.1擋：0.1 pC/N。
尺(chi)寸(cun)：施力(li)裝(zhuang)置(zhi)：Φ110×140mm；儀(yi)器本(ben)體：240×200×80mm。
重量：施力(li)裝(zhuang)置(zhi)：約(yue)4公斤(jin)；   
儀(yi)器本(ben)體：2公斤(jin)。
電(dian)源：220伏，50赫(he)，20瓦。

★補充(chong)參(can)數:

總之(zhi),ZJ-3型(xing)壓(ya)電(dian)測(ce)試儀(yi)在(zai)測(ce)量(liang)壓(ya)電(dian)薄膜(mo)方面(mian)是可(ke)行(xing)的(de)